- Metrología - Laboratorio
- Componente Optico
- Fotodiodo InGaAs
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Fotodiodo InGaAs XSJ-10-D3-70-04PIN
Añadir a mis favoritos
Añadir al comparador
Características
- Especificaciones
- InGaAs
- Montaje
- PIN
Descripción
Descripción
Este chip de fotodiodo de 2,5Gbps es una estructura planar InGaAs/InP PIN y un chip de fotodiodo digital iluminado por la parte superior, el tamaño del área activa es de Φ70μm. Sus características son: baja corriente oscura, baja capacitancia, alta capacidad de respuesta y excelente fiabilidad. Aplicación en el receptor óptico de 2,5 Gbps y por debajo y EPON ONU.
Características
Φ70μm de área activa.
Alta responsabilidad.
Baja corriente oscura.
Excelente fiabilidad: Todos los chips han superado los requisitos de cualificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE.
pruebas e inspecciones al 100%.
Aplicaciones
2.receptor GPON/EPON ONU de 5Gbps.
EPON ONU.
---
Catálogos
Otros productos de PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Access Network Applications
* Los precios no incluyen impuestos, gastos de entrega ni derechos de exportación. Tampoco incluyen gastos de instalación o de puesta en marcha. Los precios se dan a título indicativo y pueden cambiar en función del país, del coste de las materias primas y de los tipos de cambio.