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... Este chip de fotodiodo de 25Gbps, que es un chip de fotodiodo PIN de alta velocidad de datos con iluminación superior, con un área activa de Φ32μm. Sus características tienen alta capacidad de respuesta, baja capacitancia, baja corriente oscura y una ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... Este chip de fotodiodo de 25Gbps, que es un chip de fotodiodo PIN de alta velocidad de datos con iluminación superior, con un área activa de Φ32μm. Sus características tienen alta capacidad de respuesta, baja capacitancia, baja corriente oscura y una ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... Este chip fotodiodo 10Gbps de alta velocidad de datos tiene una estructura PIN InGaAs/InP y está iluminado en la parte superior. Las características son alta responsabilidad, baja capacitancia, baja corriente oscura, tamaño del área activa es Φ50μm, ánodo ...
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... Este chip fotodiodo 10Gbps de alta velocidad de datos tiene una estructura PIN InGaAs/InP y está iluminado en la parte superior. Las características son alta responsabilidad, baja capacitancia, baja corriente oscura, tamaño del área activa es Φ50μm, ánodo ...
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... Este chip de fotodiodo de avalancha (chip APD) de 25Gbps es un tipo de estructura de electrodo de señal de tierra (GS), con un tamaño de área activa iluminada superior de Φ16μm. Las características de este producto son alta multiplicación, baja capacitancia, ...
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... El XSJ-10-EMPD-120L es un chip fotodetector de monitorización InGaAs InP PIN con iluminación lateral y estructura plana. El ánodo y el cátodo están en la parte frontal, y la ventana de detección lateral del chip es de 120umX60um, adecuada para centros ...
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... Este borde iluminado InGaAs/InP monitor PIN fotodiodo chip con gran área activa, que es la estructura planar con ánodo y cátodo doble en la parte superior. El tamaño del área detectable del borde es 100μmX80μm, y una responsividad más alta en la región ...
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... Este chip fotodiodo 56GBaud, que es iluminado superior y mesa estructura alta velocidad de datos PIN fotodiodo chip, tamaño de área activa es Φ16μm. Sus características tienen alta capacidad de respuesta, baja capacitancia, baja corriente oscura y excelente ...
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... El XSJ-10-EMPD-120R es un chip de fotodiodo PIN de monitor InGaAs/InP iluminado en el borde, de estructura plana con contacto anódico y contacto catódico en la parte superior. El tamaño del área detectable del borde del fotodiodo es de 120μmX60μm, lo ...
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... Descripción El XSJ-10-EMPD-120RB es un chip fotodetector de monitorización InGaAs InP PIN con iluminación lateral y estructura plana. El ánodo y el cátodo están metalizados por delante y por detrás, y la ventana de detección lateral del chip es de 120umX60um. ...
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