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Corriente: 20 A
Tensión: 650 V
... electrostática hasta 3,5 kV, lo que se traduce en una mayor fiabilidad de la aplicación. Las características de conmutación de alta velocidad de los HEMT de GaN también contribuyen a una mayor miniaturización ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 24 A
Tensión: 40 V
... El HP8KB6 es un MOSFET de baja resistencia a la conexión ideal para aplicaciones de conmutación. CARACTERÍSTICAS: baja resistencia a la conexión pequeño encapsulado de montaje en superficie (HSOP8) revestimiento de ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 24 A
Tensión: 40 V
... El HP8KB7 es un MOSFET de baja resistencia a la conexión ideal para aplicaciones de conmutación. CARACTERÍSTICAS: baja resistencia a la conexión pequeño encapsulado de montaje en superficie (HSOP8) revestimiento de ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 23 A
Tensión: 60 V
... El HP8KC6 es un MOSFET de baja resistencia a la conexión ideal para aplicaciones de conmutación. CARACTERÍSTICAS: baja resistencia a la conexión pequeño encapsulado de montaje superficial (HSOP8) revestimiento de plomo ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 24 A
Tensión: 60 V
... El HP8KC7 es un MOSFET de baja resistencia a la conexión ideal para aplicaciones de conmutación. Características: baja resistencia a la conexión pequeño encapsulado de montaje superficial (HSOP8) revestimiento de plomo ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 17 A
Tensión: 100 V
... El HP8KE6 es un MOSFET de baja resistencia a la conexión ideal para aplicaciones de conmutación. CARACTERÍSTICAS: baja resistencia a la conexión pequeño encapsulado de montaje superficial (HSOP8) revestimiento de plomo ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 24 A
Tensión: 100 V
... El HP8KE7 es un MOSFET de baja resistencia a la conexión ideal para aplicaciones de conmutación. CARACTERÍSTICAS: baja resistencia a la conexión pequeño encapsulado de montaje superficial (HSOP8) revestimiento de plomo ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 16,5 A
Tensión: 40 V
... El HP8MB5 es un MOSFET de baja resistencia a la conexión ideal para aplicaciones de conmutación. CARACTERÍSTICAS: baja resistencia a la conexión pequeño encapsulado de montaje en superficie (HSOP8) revestimiento de ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 12 A
Tensión: 60 V
... El HP8MC5 es un MOSFET de baja resistencia a la conexión ideal para aplicaciones de conmutación. CARACTERÍSTICAS: baja resistencia a la conexión pequeño encapsulado de montaje en superficie (HSOP8) revestimiento de ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 12 A
Tensión: 40 V
... El HT8KB5 es un MOSFET de baja resistencia a la conexión ideal para aplicaciones de conmutación. CARACTERÍSTICAS: baja resistencia a la conexión paquete de molde pequeño de alta potencia (HSMT8) revestimiento sin plomo; ...
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