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{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
Corriente: -16,4 A
Tensión: -60 V
... y gestión de potencia a nivel de placa cuando se requiere un
MOSFET canal P en DPAK.
Características técnicas / especificaciones
- Tipo de dispositivo: MOSFET de potencia canal P
- VDS
Infineon Technologies AG
Corriente: 40 A
Tensión: 40 V
... Descripción breve
BSZ063N04LS6 es un
MOSFET de potencia de canal N OptiMOS 6 con tensión nominal de 40 V, diseñado para SMPS, cargadores de baterías y aplicaciones ORing. Presenta una reducción del RDS(on) de aproximadamente ...
Infineon Technologies AG
Corriente: 61 A
Tensión: 600 V
... entornos de fabricación al impedir que se produzcan fallos ESD El RG integrado reduce la sensibilidad a la oscilación del MOSFET El MOSFET es adecuado para topologías de conmutación dura y resonante como PFC y LLC Excelente ...
Infineon Technologies AG
Corriente: 61 A
Tensión: 600 V
... entornos de fabricación al impedir que se produzcan fallos ESD El RG integrado reduce la sensibilidad a la oscilación del MOSFET El MOSFET es adecuado para topologías de conmutación dura y resonante como PFC y LLC Excelente ...
Infineon Technologies AG
Corriente: 61 A
Tensión: 600 V
... entornos de fabricación al impedir que se produzcan fallos ESD El RG integrado reduce la sensibilidad a la oscilación del MOSFET El MOSFET es adecuado para topologías de conmutación dura y resonante como PFC y LLC Excelente ...
Infineon Technologies AG
Corriente: 20 A
Tensión: 600 V
... entornos de fabricación al impedir que se produzcan fallos ESD El RG integrado reduce la sensibilidad a la oscilación del MOSFET El MOSFET es adecuado para topologías de conmutación dura y resonante como PFC y LLC Excelente ...
Infineon Technologies AG
Corriente: 18 A
Tensión: 600 V
... entornos de fabricación al impedir que se produzcan fallos ESD El RG integrado reduce la sensibilidad a la oscilación del MOSFET El MOSFET es adecuado para topologías de conmutación dura y resonante como PFC y LLC Excelente ...
Infineon Technologies AG
Corriente: 9 A
Tensión: 600 V
... entornos de fabricación al impedir que se produzcan fallos ESD El RG integrado reduce la sensibilidad a la oscilación del MOSFET El MOSFET es adecuado para topologías de conmutación dura y resonante como PFC y LLC Excelente ...
Infineon Technologies AG
Corriente: 101 A
Tensión: 600 V
... entornos de fabricación al impedir que se produzcan fallos ESD El RG integrado reduce la sensibilidad a la oscilación del MOSFET El MOSFET es adecuado para topologías de conmutación dura y resonante como PFC y LLC Excelente ...
Infineon Technologies AG
Corriente: 101 A
Tensión: 600 V
... entornos de fabricación al impedir que se produzcan fallos ESD El RG integrado reduce la sensibilidad a la oscilación del MOSFET El MOSFET es adecuado para topologías de conmutación dura y resonante como PFC y LLC Excelente ...
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