Transistor MOSFET BSZ063N04LS6

de potenciade conmutaciónpor resistencia

Descripción breve
BSZ063N04LS6 es un MOSFET de potencia de canal N OptiMOS 6 con tensión nominal de 40 V, diseñado para SMPS, cargadores de baterías y aplicaciones ORing. Presenta una reducción del RDS(on) de aproximadamente el 30% respecto a la generación anterior y cumple RoHS.

Características clave

• Tensión nominal: 40 V
• Tecnología: OptiMOS 6
• Tipo de dispositivo: MOSFET de potencia canal N
• Reducción de RDS(on): ≈30% vs generación anterior
• Cumplimiento: RoHS

Identificadores y pedido

• Número de pieza Infineon (ISPN): BSZ063N04LS6
• OPN (número de pedido): BSZ063N04LS6ATMA1
• Número SP: SP001687058
• ispnId: 22636

Estado del producto y familia

• Estado del producto: activo y preferido
• Familia de producto: N-Channel (MOSFET de potencia)

Aplicaciones

• Conversión de energía (SMPS)
• Cargadores de baterías
• ORing / protección de ruta de energía para fuentes redundantes o gestión de baterías

Especificaciones técnicas

• Tensión máxima drenador‑fuente: 40 V
• Tecnología: OptiMOS 6
• Mejora de RDS(on): reducción aproximada del 30% respecto a la generación anterior
• RoHS: conforme
• Identificadores relevantes: ispnId = 22636, spNumber = SP001687058, opnName = BSZ063N04LS6ATMA1