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Transistor MOSFET IPD900P06NM
de potenciade conmutaciónde avalancha

Transistor MOSFET - IPD900P06NM - Infineon Technologies AG - de potencia / de conmutación / de avalancha
Transistor MOSFET - IPD900P06NM - Infineon Technologies AG - de potencia / de conmutación / de avalancha
Transistor MOSFET - IPD900P06NM - Infineon Technologies AG - de potencia / de conmutación / de avalancha - imagen - 2
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Características

Tipo
MOSFET
Tecnología
de potencia, de conmutación
Otras características
de avalancha, para las técnicas automóviles
Corriente

-16,4 A

Tensión

-60 V

Descripción

Resumen
  • IPD900P06NM es un MOSFET de potencia de canal P diseñado para aplicaciones de conmutación y gestión de energía.
  • Tecnología: OptiMOS™
  • Polaridad: P (canal P)
  • Encapsulado típico: DPAK (TO-252)


Parámetros eléctricos clave
  • Tensión máxima drenador-fuente (VDS max): -60 V
  • Resistencia a la conducción máxima (RDS(on) max): 90 mΩ


Identificadores y clasificación del producto
  • Manufacturer: Infineon Technologies
  • Número de pieza del fabricante (MPN) / ISPN: IPD900P06NM
  • Número de pedido (OPN): IPD900P06NMATMA1
  • ID ISPN: 23206
  • SP Number: SP004987258
  • Familia: P-Channel
  • Estado del producto: active


Información de encapsulado típico
  • Encapsulado: DPAK (TO-252)


Aplicaciones y posicionamiento
  • Adecuado para conmutación canal P, conmutación de cargas y gestión de potencia a nivel de placa cuando se requiere un MOSFET canal P en DPAK.


Características técnicas / especificaciones
  • Tipo de dispositivo: MOSFET de potencia canal P
  • VDS (max): -60 V
  • RDS(on) (max): 90 mΩ
  • Encapsulado: DPAK (TO-252)
  • Tecnología: OptiMOS™
  • Polaridad: P

Catálogos

IPD900P06NM
IPD900P06NM
10 Páginas

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* Los precios no incluyen impuestos, gastos de entrega ni derechos de exportación. Tampoco incluyen gastos de instalación o de puesta en marcha. Los precios se dan a título indicativo y pueden cambiar en función del país, del coste de las materias primas y de los tipos de cambio.