Diodo con unión PN CMDD series

para montaje en superficiede conmutaciónde silicio

El tipo CMDD3003 de CENTRAL SEMICONDUCTOR es un diodo de conmutación de silicio fabricado mediante el proceso planar epitaxial, moldeado con epoxi en un encapsulado de montaje superficial SUPERminiTM, diseñado para aplicaciones de conmutación que requieren un diodo de fuga extremadamente baja. El CMDD2004 de Central Semiconductor es un diodo de conmutación de silicio de alto voltaje fabricado mediante el proceso planar epitaxial, moldeado con epoxi en un encapsulado de montaje superficial SUPERmini™, diseñado para aplicaciones que requieren una capacidad de alto voltaje. El tipo CMDD4448 de CENTRAL SEMICONDUCTOR es un diodo de conmutación de silicio de ultra alta velocidad fabricado por el proceso planar epitaxial, moldeado con epoxi en un encapsulado de montaje superficial SUPERminiTM, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad. El tipo CMDD6001 de CENTRAL SEMICONDUCTOR es un diodo de conmutación de silicio fabricado mediante el proceso planar epitaxial, moldeado con epoxi en un encapsulado de montaje superficial SUPERminiTM, diseñado para aplicaciones de conmutación que requieren un diodo de fuga extremadamente baja.