El sistema de inspección de defectos en obleas con patrón de haz electrónico (e-beam) eSL10™ aprovecha la mayor energía de aterrizaje y la alta resolución del sector para capturar pequeños defectos físicos y de alta relación de aspecto, lo que permite el desarrollo de procesos y la supervisión de la producción de dispositivos lógicos avanzados, DRAM y NAND 3D. Con un innovador diseño de óptica de electrones, el eSL10™ produce una alta densidad de corriente del haz con un tamaño de punto pequeño y la gama más amplia del sector de condiciones de funcionamiento para la captura de defectos en toda una serie de capas de proceso y estructuras de dispositivos difíciles. El revolucionario modo de escaneo Yellowstone™ permite un funcionamiento a alta velocidad sin comprometer la resolución, para una investigación eficaz de puntos calientes sospechosos o el descubrimiento de defectos dentro de una amplia área del chip. La tecnología Simul-6™, única en el sector, proporciona información de superficie, topográfica, de contraste de materiales y de zanjas profundas en una sola exploración, lo que reduce el tiempo necesario para recopilar información completa sobre diversos tipos de defectos. Con inteligencia artificial (IA) integrada, la eSL10 emplea algoritmos de aprendizaje profundo SMARTs™ que discriminan los DOI clave del ruido del patrón y del proceso, lo que permite capturar y clasificar los defectos críticos durante la I+D y la rampa.
Captura de defectos de alta resolución, descubrimiento de defectos, depuración de procesos de I+D, análisis de ingeniería, supervisión de rampas y líneas
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