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Transistor IGBT STGB8NC60KDT4de conmutación
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Características
- Tipo
- IGBT
- Tecnología
- de conmutación
- Corriente
8 A
- Tensión
600 V
Descripción
Este IGBT utiliza el avanzado proceso PowerMESH™ que da como resultado una excelente relación entre el rendimiento de conmutación y el bajo comportamiento en estado encendido.
Todas las características
Menor caída de tensión de conexión (VCE(sat))
Diodo antiparalelo de recuperación ultrarrápida muy suave
Menor relación CRES / CIES (sin susceptibilidad a la conducción cruzada)
Tiempo de resistencia al cortocircuito 10µs
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