Transistor IGBT STGB8NC60KDT4
de conmutación

Transistor IGBT - STGB8NC60KDT4 - STMicroelectronics - de conmutación
Transistor IGBT - STGB8NC60KDT4 - STMicroelectronics - de conmutación
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Características

Tipo
IGBT
Tecnología
de conmutación
Corriente

8 A

Tensión

600 V

Descripción

Este IGBT utiliza el avanzado proceso PowerMESH™ que da como resultado una excelente relación entre el rendimiento de conmutación y el bajo comportamiento en estado encendido. Todas las características Menor caída de tensión de conexión (VCE(sat)) Diodo antiparalelo de recuperación ultrarrápida muy suave Menor relación CRES / CIES (sin susceptibilidad a la conducción cruzada) Tiempo de resistencia al cortocircuito 10µs

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Catálogos

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Ferias

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ELECTRONICA 2026
ELECTRONICA 2026

10-13 nov. 2026 Munich (Alemania) Hall C3 - Stand 101, 102

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    SPS 2026
    SPS 2026

    24-26 nov. 2026 Nuremberg (Alemania) Hall 4 - Stand 271

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