Este IGBT utiliza el avanzado proceso PowerMESH™ que da como resultado una excelente relación entre el rendimiento de conmutación y el bajo comportamiento en estado encendido.
Todas las características
Menor caída de tensión de conexión (VCE(sat))
Diodo antiparalelo de recuperación ultrarrápida muy suave
Menor relación CRES / CIES (sin susceptibilidad a la conducción cruzada)
Tiempo de resistencia al cortocircuito 10µs
* Los precios no incluyen impuestos, gastos de entrega ni derechos de exportación. Tampoco incluyen gastos de instalación o de puesta en marcha. Los precios se dan a título indicativo y pueden cambiar en función del país, del coste de las materias primas y de los tipos de cambio.