Transistor IGBT STGD8NC60KD
de conmutación

transistor IGBT
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Características

Tipo
IGBT
Tecnología
de conmutación
Corriente

8 A

Tensión

600 V

Descripción

Este IGBT utiliza el avanzado proceso PowerMESH™ que da como resultado una excelente relación entre el rendimiento de conmutación y el bajo comportamiento en estado encendido. Todas las características Menor caída de tensión de conexión (VCE(sat)) Diodo antiparalelo de recuperación ultrarrápida muy suave Menor relación CRES / CIES (sin susceptibilidad a la conducción cruzada) Tiempo de resistencia al cortocircuito 10µs

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* Los precios no incluyen impuestos, gastos de entrega ni derechos de exportación. Tampoco incluyen gastos de instalación o de puesta en marcha. Los precios se dan a título indicativo y pueden cambiar en función del país, del coste de las materias primas y de los tipos de cambio.