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Corriente: -0,5 A
Tensión: -50 V
... 50A02CH es un transistor bipolar, bajo VCE(sat), PNP simple para aplicaciones de amplificación de propósito general de baja frecuencia. Aplicaciones Amplificador de baja frecuencia Conmutación de alta velocidad Accionamiento de motores ...
Onsemi
Corriente: 0,4 A - 45 A
Tensión: 36 V - 70 V
... ST ofrece una amplia gama de conmutadores inteligentes de 3 y 5 patillas (OMNIFET) para automoción basados en la tecnología VIPower (potencia inteligente vertical). Esta tecnología patentada permite la integración de circuitos de control y protección ...
STMicroelectronics
Tensión: 7,5 V
... de salida de radio portátil de banda UHF Etapa de salida para radio portátil de 700-800 MHz Driver genérico de 6 W para transistores de etapa final ISM y broadcast ...
Tensión: 110, 265 V
... Descripción TOPSwitch-HX incorpora un MOSFET de 700 V de potencia, fuente de corriente conmutada de alto voltaje, control PWM, oscilador, circuito de apagado térmico, protección contra fallas y otros circuitos de control en un dispositivo monolítico. Menor ...
Power Integrations
Corriente: 0,8 A
Tensión: 50 V
... Ganancia de corriente DC hFE Máx.:400 Ganancia de corriente continua hFE mín.:160 Descripción:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Transistor bipolar CI (A):0,8 PD (W):0,625 Paquete:TO-92 Polaridad: NPN Estado:Activo TJ Max. (°C):150 VCBO (V):50 VCE ...
Tensión: 20, 50 V
... Transistor MOSFET y NPN de canal N en un solo paquete Baja On-Resistencia Muy baja tensión de umbral de puerta, 1,0V máx Baja capacitancia de entrada Velocidad de conmutación rápida Baja Fuga de Entrada/Salida Paquete de montaje ...
Diodes Incorporated
Tensión: 45 V
... Los tipos BCX51, BCX52 y BCX53 de CENTRAL SEMICONDUCTOR son transistores de silicio PNP fabricados mediante el proceso planar epitaxial, moldeados con epoxi en un encapsulado de montaje superficial, diseñados para aplicaciones de amplificador ...
Central Semiconductor
Corriente: 1 mA - 20 mA
Tensión: 2,7 V
Broadcom
... Avago dispone de una amplia cartera de transistores bipolares de RF de silicio y FET de GaAs Los transistores FET RF de GaAs son ideales para la primera o segunda etapa de la estación base LNA debido a la excelente combinación ...
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