Máquina de corte láser RM-LS-SiC-1200

para silicio monocristalinode obleapara la industria de los semiconductores

Mediante el uso de láseres de banda semitransparentes para enfocar con precisión el interior del lingote, se forma una capa de modificación uniforme gracias al efecto multifotónico, lo que induce una propagación controlada de microfisuras. A continuación, se lleva a cabo un proceso de separación asistido por ultrasonidos para lograr la separación completa de todo el sustrato. El equipo puede llevar a cabo de forma eficiente el desprendimiento de lingotes de SiC y el adelgazamiento de precisión de obleas, al tiempo que es compatible con el desprendimiento de materiales cristalinos duros y frágiles, como el GaN y el diamante. Se caracteriza por una pérdida de desprendimiento ultrabaja, una elevada planitud, la ausencia de tensiones mecánicas y una alta eficiencia en la producción en serie, lo que lo convierte en un equipo fundamental para la producción en serie de dispositivos de potencia semiconductores de banda ancha. Adecuado para 8/12 pulgadas Módulo básico de desarrollo propio Algoritmos y estructuras fundamentales para el seguimiento del enfoque, el control del campo de luz y la recogida guiada de obleas. Baja pérdida de material Pérdida total tras el rectificado de tan solo 100 µm (conductividad de 8 pulgadas). Alta eficiencia de procesamiento Alta eficiencia de procesamiento: 15 min/oblea. Solución integrada Solución que integra modificación láser + separación asistida por ultrasonidos + recogida automática de obleas + inspección óptica automatizada (AOI).