Transistores de efecto de campo AMOT

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transistor MOSFET
transistor MOSFET
IPD900P06NM

Corriente: -16,4 A
Tensión: -60 V

... Resumen

  • IPD900P06NM es un MOSFET de potencia de canal P diseñado para aplicaciones de conmutación y gestión de energía.
  • Tecnología: OptiMOS™
  • Polaridad: P (canal P)
  • Encapsulado típico: DPAK (TO-252)


Parámetros ...

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transistor MOSFET
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BSZ063N04LS6

Corriente: 40 A
Tensión: 40 V

... Descripción breve
BSZ063N04LS6 es un MOSFET de potencia de canal N OptiMOS 6 con tensión nominal de 40 V, diseñado para SMPS, cargadores de baterías y aplicaciones ORing. Presenta una reducción del RDS(on) de aproximadamente el 30% respecto ...

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IPZA60R045P7

Corriente: 61 A
Tensión: 600 V

... El MOSFET de superunión CoolMOS™ P7 es el sucesor de la serie CoolMOS™ P6 de 600 V. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. El mejor RonxA de su clase y la inherente baja carga de puerta (QG) ...

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Corriente: 61 A
Tensión: 600 V

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Corriente: 61 A
Tensión: 600 V

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Infineon Technologies AG
transistor MOSFET
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IPP60R160P7

Corriente: 20 A
Tensión: 600 V

... El MOSFET de superunión CoolMOS™ P7 es el sucesor de la serie CoolMOS™ P6 de 600 V. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. El mejor RonxA de su clase y la inherente baja carga de puerta (QG) ...

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Infineon Technologies AG
transistor MOSFET
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IPAN60R180P7S

Corriente: 18 A
Tensión: 600 V

... El MOSFET de superunión CoolMOS™ P7 de 600 V es el sucesor de la serie CoolMOS™ P6 de 600 V. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. El mejor RonxA de su clase y la inherente baja carga de puerta ...

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Infineon Technologies AG
transistor MOSFET
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IPAN60R360P7S

Corriente: 9 A
Tensión: 600 V

... El MOSFET de superunión CoolMOS™ P7 es el sucesor de la serie CoolMOS™ P6. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. El mejor RonxA de su clase y la inherente baja carga de puerta (QG) de la plataforma ...

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transistor MOSFET
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IPZA60R024P7

Corriente: 101 A
Tensión: 600 V

... El MOSFET de superunión CoolMOS™ P7 de 600 V es el sucesor de la serie CoolMOS™ P6 de 600 V. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. El mejor RonxA de su clase y la inherente baja carga de puerta ...

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IPW60R024P7

Corriente: 101 A
Tensión: 600 V

... El MOSFET de superunión CoolMOS™ P7 es el sucesor de la serie CoolMOS™ P6. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. El mejor RonxA de su clase y la inherente baja carga de puerta (QG) de la plataforma ...

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