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MOSFET de silicio
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... Descripción general
El R6024WNJ2 es un
MOSFET Super Junction PrestoMOS™ N‑canal de 600 V en un encapsulado TOLL de perfil bajo para montaje superficial. Ofrece baja RDS(on) y rápida recuperación inversa (trr), adecuado para ...
ROHM Semiconductor
... Descripción general
El R6055XNJ2 es un
MOSFET de potencia Super Junction N canal de 600 V, optimizado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad. Combina baja resistencia de conducción y conmutación rápida en un encapsulado ...
ROHM Semiconductor
... Resumen
Dispositivo
MOSFET Super Junction N‑canal de 600V, conmutación de alta velocidad, en paquete de montaje superficial de perfil bajo TOLL (MO-299). Ofrece baja RDS(on), admisión mejorada frente a la serie R60xxYNx anterior ...
ROHM Semiconductor
... Descripción
El R6038XNJ2 es un
MOSFET de potencia Super Junction N‑canal de 600 V para conmutación rápida, que ofrece baja resistencia en conducción y características de conmutación rápidas en un encapsulado SMD compacto TOLL. ...
ROHM Semiconductor
... Descripción general
El R6020XNJ2 es un
MOSFET Super Junction de conmutación rápida de 600 V en encapsulado SMD TOLL de perfil bajo. Ofrece baja resistencia a la conducción y características de admisión mejoradas frente a la ...
ROHM Semiconductor
... CENTRAL CDM2205-800FP es un MOSFET de 800 voltios de canal N diseñado para aplicaciones de alto voltaje y de rápida conmutación como la corrección del factor de potencia (PFC), iluminación e inversores de potencia. Este MOSFET ...
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