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MOSFET resistencia de alta tensión R6024WNJ2
de alta velocidadde silicio

MOSFET resistencia de alta tensión - R6024WNJ2 - ROHM Semiconductor - de alta velocidad / de silicio

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Características

Especificaciones: resistencia de alta tensión, de alta velocidad
Material: de silicio

Descripción

Descripción general
El R6024WNJ2 es un MOSFET Super Junction PrestoMOS™ N‑canal de 600 V en un encapsulado TOLL de perfil bajo para montaje superficial. Ofrece baja RDS(on) y rápida recuperación inversa (trr), adecuado para aplicaciones de conmutación de alta densidad de potencia, como fuentes de alimentación para servidores AI y equipos industriales. La tensión de umbral de la puerta está especificada en torno a 3–5 V para cubrir condiciones de accionamiento habituales. Las características de admitancia mejoradas reducen las pérdidas frente a series anteriores y aumentan la versatilidad.

Características

Tiempo de recuperación inversa rápido (trr) para reducir pérdidas por conmutación
Baja resistencia en conducción (RDS(on))
Alta velocidad de conmutación
Requisitos simples de circuito de mando (tensión de accionamiento recomendada 10 V)
Chapado sin Pb; conforme a RoHS
Compuesto de molde sin halógenos

Ejemplos de aplicación

Fuentes de alimentación para servidores AI y centros de datos
Fuentes de alimentación para equipos industriales y de consumo (LLC, PFC, Flyback, etc.)
Accionamientos de motor e inversores para ventiladores, servos AC y aplicaciones similares

Nombre del modelo: R6024WNJ2
Número de pieza (código de pedido): R6024WNJ2TRDC
Código de paquete: TOLL (MO‑299)
Aplicaciones: Switching
Número de terminales: 9
Polaridad: N‑canal
Tensión Drain‑Source VDS: 600 V
Corriente de drenaje ID: 72 A
RDS(on) [Ω] (VGS = 10 V, Typ): 0,127 Ω
Carga total de puerta Qg: 35 nC
Disipación de potencia PD: 245 W
Tensión de accionamiento (recomendada): 10 V
trr (Typ.): 74 ns
Estilo de montaje: Surface mount
Temperatura de almacenamiento: -55 ℃ (Min) a 150 ℃ (Max)
Tamaño del paquete: 11.68 x 9.9 mm (t = 2.4 mm)

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10-13 nov. 2026 Munich (Alemania) Hall C3 - Stand 520

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