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MOSFET de alta velocidad R6049XNJ2
resistencia de alta tensiónde silicio

MOSFET de alta velocidad - R6049XNJ2 - ROHM Semiconductor - resistencia de alta tensión / de silicio
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Características

Especificaciones
de alta velocidad, resistencia de alta tensión
Material
de silicio

Descripción

Resumen
Dispositivo MOSFET Super Junction N‑canal de 600V, conmutación de alta velocidad, en paquete de montaje superficial de perfil bajo TOLL (MO-299). Ofrece baja RDS(on), admisión mejorada frente a la serie R60xxYNx anterior y una VGS(th) en el rango común de 3–5V para soportar diversas condiciones de conducción. La huella del paquete es compatible con diseños habituales del mercado, facilitando la sustitución y la selección de múltiples fuentes en fuentes de alimentación existentes.

Antecedentes de desarrollo
El aumento de la carga de procesamiento en centros de datos y equipos industriales exige mayor eficiencia de las fuentes de alimentación, menos generación de calor y mayor densidad de potencia en espacios reducidos. Este MOSFET se ha desarrollado para cumplir esos requisitos, proporcionando menores pérdidas de conducción y conmutación y un paquete SMD con mejor disipación térmica para permitir diseños compactos y de alta densidad.

Ejemplos de aplicaciones
  • Fuentes de alimentación para servidores AI y centros de datos
  • Fuentes de alimentación para equipos industriales y de consumo (LLC, PFC, Flyback, etc.)
  • Accionamientos de motores e inversores para ventiladores, servos AC y aplicaciones similares

Características
  • Baja resistencia a la conducción (RDS(on))
  • Conmutación rápida
  • Requisitos de circuito de control simplificados
  • Recubrimiento sin Pb; conforme a RoHS
  • Compuesto de moldeo sin halógenos

Especificaciones técnicas
  • Número de pieza: R6049XNJ2TRDC
  • Nombre comercial: R6049XNJ2
  • Paquete: TOLL (MO-299)
  • Tipo de embalaje: Taping
  • Cantidad por unidad / Cantidad mínima de paquete: 2000
  • RoHS: Yes
  • MSL: 1
  • Aplicaciones: Switching
  • Número de terminales: 9
  • Polaridad: N‑channel
  • Tensión Dreno-Fuente V DSS [V]: 600
  • Corriente de drenaje ID [A]: 147
  • RDS(on) [Ω] (VGS=10V, Typ): 0.068
  • Carga total de puerta Qg [nC]: 58
  • Disipación de potencia (PD) [W]: 448
  • Tensión de pilotaje [V]: 10
  • trr (Typ.) [ns]: 306
  • Estilo de montaje: Montaje superficial
  • Temperatura de almacenamiento (Min) [°C]: -55
  • Temperatura de almacenamiento (Max) [°C]: 150
  • Tamaño del paquete [mm]: 11.68 x 9.9 (t = 2.4)

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