MOSFET de alta velocidad R6038XNJ2

resistencia de alta tensiónde silicio

Descripción
El R6038XNJ2 es un MOSFET de potencia Super Junction N‑canal de 600 V para conmutación rápida, que ofrece baja resistencia en conducción y características de conmutación rápidas en un encapsulado SMD compacto TOLL. Está orientado a aplicaciones de conmutación con alta densidad de potencia y espacio limitado, como fuentes de alimentación para servidores AI, centros de datos y equipos industriales. El umbral de puerta VGS(th) se sitúa aproximadamente en 3–5 V, facilitando la compatibilidad con circuitos de conducción habituales.

Características

• Baja resistencia en conducción (RDS(on) típico 0,08 Ω a VGS=10 V)
• Conmutación rápida (trr típico 291 ns)
• Requisitos de circuito de conducción simplificados (tensión de accionamiento recomendada 10 V)
• Recubrimiento libre de Pb; conforme a RoHS
• Compuesto de moldeo sin halógenos

Ejemplos de aplicación

• Fuentes de alimentación para servidores AI y centros de datos
• Fuentes conmutadas para equipos industriales y de consumo (LLC, PFC, Flyback, etc.)
• Accionamientos de motor e inversores para ventiladores, servos AC y otras aplicaciones de motor

Información de la pieza (embalaje / pedido)
Número de pieza: R6038XNJ2TRDC
Estado: Recomendado
Encapsulado: TOLL (MO-299)
Tipo de embalaje: Taping
Cantidad por unidad: 2000
Cantidad mínima de paquete: 2000
RoHS: Sí
MSL: 1

Notas de desarrollo
Este dispositivo responde a la creciente demanda de potencia y eficiencia al combinar la reducción de pérdidas por conducción y conmutación con un mejor rendimiento térmico en un formato SMD de uso común en el mercado, facilitando diseños compactos y opciones de segunda fuente.

Especificaciones técnicas

• Modelo: R6038XNJ2
• Código de encapsulado: TOLL (MO-299)
• Aplicación: Conmutación
• Número de terminales: 9
• Polaridad: N‑canal
• Tensión drenaje‑fuente V(DSS): 600 V
• Corriente de drenaje I(D): 114 A
• RDS(on) (Tip.) @ VGS=10 V: 0,08 Ω
• Carga total de puerta Qg: 48 nC
• Disipación de potencia PD: 348 W
• Tensión de accionamiento recomendada: 10 V
• trr (Tip.): 291 ns
• Montaje: Montaje superficial
• Temperatura de almacenamiento: -55 °C a 150 °C
• Tamaño del encapsulado: 11,68 x 9,9 mm (t = 2,4 mm)