MOSFET resistencia de alta tensión R6055XNJ2

de alta velocidadsemiconductorde silicio

Descripción general
El R6055XNJ2 es un MOSFET de potencia Super Junction N canal de 600 V, optimizado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad. Combina baja resistencia de conducción y conmutación rápida en un encapsulado SMD TOLL compacto con buena disipación térmica y una huella común en el mercado. El VGS(th) típico se sitúa en torno a 3–5 V, compatible con diversas condiciones de accionamiento.

Características

• Baja resistencia RDS(on) (típ. 0,057 Ω @ VGS = 10 V)
• Conmutación ultra‑rápida
• Simplificación del circuito de control (tensión recomendada 10 V)
• Recubrimiento sin Pb; conforme RoHS
• Compuesto de molde sin halógenos

Aplicaciones

• Elementos de conmutación en conversión de potencia
• Fuentes de alimentación para servidores AI y centros de datos
• Fuentes para equipos industriales y de consumo (LLC, PFC, Flyback, etc.)
• Controladores de motor e inversores (ventiladores, servos AC, etc.)

Información del producto
Part Number | R6055XNJ2TRDC
Status | Recomendado
Package | TOLL (MO‑299)
Packing Type | Taping
Unit Quantity | 2000
Minimum Package Quantity | 2000
RoHS | Sí
MSL | 1

Especificaciones técnicas

• Tipo de dispositivo: MOSFET Super Junction, conmutación de alta velocidad
• Polaridad: N‑canal
• Tensión drenador‑fuente (VDS): 600 V
• Corriente de drenador (ID): 165 A
• RDS(on) (Típ.) @ VGS = 10 V: 0,057 Ω
• Carga total de puerta Qg (Típ.): 67 nC
• Disipación de potencia (PD): 521 W
• Tensión de accionamiento recomendada: 10 V
• t_rr (Típ.): 372 ns
• Número de terminales: 9
• Montaje: montaje superficial (SMD)
• Temperatura de almacenamiento: -55 °C a 150 °C
• Tamaño del paquete: 11,68 × 9,9 mm (t = 2,4 mm)