MOSFET resistencia de alta tensión R6020XNJ2

de alta velocidadde silicio

Descripción general
El R6020XNJ2 es un MOSFET Super Junction de conmutación rápida de 600 V en encapsulado SMD TOLL de perfil bajo. Ofrece baja resistencia a la conducción y características de admisión mejoradas frente a la serie R60xxYNx, lo que reduce las pérdidas en diseños de potencia compactos, como fuentes para servidores AI y equipos industriales. La tensión umbral de puerta se especifica entre 3 y 5 V, admitiendo un amplio rango de condiciones de conducción.

Características principales

• Baja resistencia RDS(on) (typ. 0,154 Ω a VGS=10 V)
• Conmutación rápida adecuada para convertidores de alta frecuencia
• Compatible con circuitos de control sencillos (tensión de control típica 10 V)
• Recubrimiento sin Pb; conforme a RoHS
• Compuesto de moldeo sin halógenos

Aplicaciones

• Fuentes para servidores AI y centros de datos
• Fuentes para equipos industriales y de consumo (LLC, PFC, flyback, etc.)
• Accionamientos e inversores para ventiladores, servos AC y aplicaciones similares

Información de embalaje y pedido
N.º de pieza | R6020XNJ2TRDC
Estado | Recomendado
Encapsulado | TOLL (MO-299)
Tipo de embalaje | Taping
Cantidad por unidad | 2000
Cantidad mínima por paquete | 2000
RoHS | Yes
MSL | 1

Especificaciones técnicas

• Modelo: R6020XNJ2
• Código de paquete: TOLL (MO-299)
• Aplicación: Switching
• Número de terminales: 9
• Polaridad: N-channel
• Tensión drenador-fuente (VDS): 600 V
• Corriente de drenador (ID): 60 A
• RDS(on) (Typ) @ VGS=10 V: 0,154 Ω
• Carga total de puerta Qg: 25 nC
• Disipación de potencia (PD): 182 W
• Tensión de conducción (typ): 10 V
• trr (Typ.): 250 ns
• Montaje: Surface mount
• Temperatura de almacenamiento: -55 ℃ a 150 ℃
• Tamaño del paquete (mm): 11.68 x 9.9 (t = 2.4)

Notas
Producto de grado estándar; consulte la hoja de datos para condiciones detalladas, directrices térmicas y recomendaciones de aplicación. No se recomienda su uso en aplicaciones automotrices.