Transistor IGBT RGW00TS65CHR
de conmutaciónde siliciopara las técnicas automóviles

Transistor IGBT - RGW00TS65CHR - ROHM Semiconductor - de conmutación / de silicio / para las técnicas automóviles
Transistor IGBT - RGW00TS65CHR - ROHM Semiconductor - de conmutación / de silicio / para las técnicas automóviles
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Características

Tipo
IGBT
Tecnología
de conmutación
Otras características
de silicio, para las técnicas automóviles
Corriente

50 A

Tensión

650 V

Descripción

La serie RGWxx65C es un IGBT de 650 V con un diodo de barrera schottky de SiC incorporado, que reduce la pérdida de conmutación en el encendido. Se trata de un producto que cumple la norma AEC-Q101. Puede utilizarse con confianza incluso en entornos difíciles, como cargadores a bordo de vehículos eléctricos, convertidores CC/CC, acondicionadores de energía solar y SAI. Certificado AEC-Q101 Baja tensión de saturación del colector y del emisor Baja pérdida de conmutación y conmutación suave Construido en carburo de silicio sin recuperación SBD Revestimiento de plomo sin Pb; cumple con RoHS

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Catálogos

Ferias

Este distribuidor estará presente en las siguientes ferias

ELECTRONICA 2026
ELECTRONICA 2026

10-13 nov. 2026 Munich (Alemania) Hall C3 - Stand 520

  • Más información
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