Transistor IGBT RGA60TS65HR
transistor bipolar de rejilla aisladaIGBT en trincherafield stop IGBT

Transistor IGBT - RGA60TS65HR - ROHM Semiconductor - transistor bipolar de rejilla aislada / IGBT en trinchera / field stop IGBT
Transistor IGBT - RGA60TS65HR - ROHM Semiconductor - transistor bipolar de rejilla aislada / IGBT en trinchera / field stop IGBT
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Características

Tipo
IGBT, transistor bipolar de rejilla aislada, IGBT en trinchera, field stop IGBT
Tecnología
de potencia, de conmutación
Otras características
de silicio, para las técnicas automóviles
Corriente

34 A

Tensión

650 V

Descripción

Descripción general
RGA60TS65HR es un IGBT de 4.ª generación de 650V tipo field-stop trench, optimizado para sistemas auxiliares automotrices y inversores industriales. La estructura del dispositivo y la terminación de borde se han revisado para aumentar la densidad de corriente y reducir las pérdidas de conducción y conmutación, mejorando la eficiencia y la fiabilidad. Cumple la norma de fiabilidad automotriz AEC-Q101 y garantiza un tiempo de resistencia a cortocircuito de 7 μs a Tj = 25°C.

Resumen del producto
IGBT de bajas pérdidas de conmutación y conducción, adecuado para compresores eléctricos, calentadores HV y aplicaciones de inversores industriales, equilibrando bajo consumo con alta tolerancia a cortocircuitos.

Aplicaciones
  • Compresores eléctricos para automoción
  • Calentadores HV automotrices (PTC, calentadores de refrigerante)
  • Inversores para equipos industriales


Características
  • Calificado según AEC-Q101 (grado automotriz)
  • Tiempo de resistencia a cortocircuito (tsc): 7 μs
  • Baja tensión de saturación colector-emisor (VCE(sat) baja)
  • Reducción de pérdidas de conmutación y conducción
  • Recubrimiento sin plomo; conforme a RoHS


Especificaciones
  • Número de pieza: RGA60TS65HRC11
  • Serie: A: For inverter (tsc 7-10 μs)
  • VCES (tensión nominal): 650 V
  • IC (100°C): 34 A
  • VCE(sat) (Typ.): 1,55 V
  • tf (Typ.): 82 ns
  • tsc (Min.): 7 μs
  • Pd: 170 W
  • BV(CES) (Min.): 650 V
  • Temperatura de almacenamiento: -55 °C a 175 °C
  • Paquete: TO-247N
  • Tipo de embalaje: Tube
  • Cantidad por unidad: 450
  • Cantidad mínima por paquete: 30
  • Tamaño del paquete: 21,0 x 16,0 mm (t = 5,2)
  • RoHS: Sí
  • Norma: AEC-Q101 (Automotive Grade)


Embalaje
Paquete estándar: TO-247N. Embalaje: tubo, cantidad estándar 450 unidades, cantidad mínima 30 unidades. Consulte los dibujos mecánicos y de embalaje para manipulación y diseño térmico.

Antecedentes de desarrollo
Mientras que los inversores de tracción de alta tensión adoptan SiC, los IGBT de 650V siguen siendo comunes en sistemas auxiliares de menor potencia. Este producto se ha desarrollado para satisfacer la demanda de mayor eficiencia, menor tamaño y mejor tolerancia a cortocircuitos en aplicaciones automotrices e industriales.

Catálogos

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Ferias

Este distribuidor estará presente en las siguientes ferias

electronica Munich 2026
electronica Munich 2026

10-13 nov. 2026 Munich (Alemania) Hall C3 - Stand 520

  • Más información
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