MOSFET de alta velocidad R6035WNJ2resistencia de alta tensiónno especificado
Añadir a mis favoritos
Añadir al comparador
Características
- Especificaciones
- de alta velocidad, resistencia de alta tensión
Descripción
Resumen
El R6035WNJ2 es un MOSFET Super Junction N-channel PrestoMOS™ de 600 V en encapsulado de montaje superficial TOLL (MO-299) de perfil bajo. Combina baja resistencia RDS(on) y conmutación/recuperación rápidas para aplicaciones de potencia de alta densidad, con umbrales de puerta en el rango 3–5 V compatibles con controladores estándar.
Antecedentes de desarrollo
El aumento de la demanda de potencia y las limitaciones de espacio en servidores AI, centros de datos y equipos industriales requieren mayor densidad de potencia y menores pérdidas de conducción y conmutación. El R6035WNJ2 mejora la conductancia y el rendimiento térmico en un encapsulado SMD compacto, manteniendo compatibilidad con condiciones de conducción comunes y necesidades de multi-fuente.
Ejemplos de aplicación
Características
Especificaciones técnicas
El R6035WNJ2 es un MOSFET Super Junction N-channel PrestoMOS™ de 600 V en encapsulado de montaje superficial TOLL (MO-299) de perfil bajo. Combina baja resistencia RDS(on) y conmutación/recuperación rápidas para aplicaciones de potencia de alta densidad, con umbrales de puerta en el rango 3–5 V compatibles con controladores estándar.
Antecedentes de desarrollo
El aumento de la demanda de potencia y las limitaciones de espacio en servidores AI, centros de datos y equipos industriales requieren mayor densidad de potencia y menores pérdidas de conducción y conmutación. El R6035WNJ2 mejora la conductancia y el rendimiento térmico en un encapsulado SMD compacto, manteniendo compatibilidad con condiciones de conducción comunes y necesidades de multi-fuente.
Ejemplos de aplicación
- Fuentes para servidores AI y centros de datos
- Fuentes conmutadas para equipos industriales y de consumo (LLC, PFC, Flyback)
- Accionamientos de motores e inversores para ventiladores, servos AC y cargas similares
Características
- Tiempo de recuperación inversa rápido (trr)
- Baja resistencia de conducción (RDS(on))
- Alta velocidad de conmutación, menor pérdida en conmutación
- Requisitos de circuito de conducción sencillos (rango VGS compatible con controladores estándar)
- Recubrimiento sin Pb; conforme a RoHS
- Compuesto de moldeo libre de halógenos
Especificaciones técnicas
- Número de pieza: R6035WNJ2TRDC
- Estado: Recomendado
- Nombre comercial: R6035WNJ2
- Encapsulado: TOLL (MO-299)
- Tipo de embalaje: Taping
- Cantidad por unidad: 2000
- Cantidad mínima por paquete: 2000
- RoHS: Sí
- MSL: 1
- Código de paquete: TOLL (MO-299)
- Aplicaciones: Conmutación
- Número de terminales: 9
- Polaridad: Canal N
- Tensión Drenador-Fuente (VDS): 600 V
- Corriente de drenador (ID): 105 A
- RDS(on) Typ (VGS=10V): 0.095 Ω (95 mΩ)
- Carga total de puerta (Qg): 46 nC
- Potencia disipada (PD): 347 W
- Tensión de conducción: 10 V
- trr (Typ.): 85 ns
- Montaje: Montaje superficial
- Temperatura de almacenamiento: -55 ℃ (Min) a 150 ℃ (Max)
- Tamaño del paquete: 11.68 x 9.9 mm (t = 2.4)
Catálogos
No hay ningún catálogo disponible para este producto.
Ver todos los catálogos de ROHM SemiconductorFerias
Este distribuidor estará presente en las siguientes ferias
Otros productos de ROHM Semiconductor
MOSFETs
* Los precios no incluyen impuestos, gastos de entrega ni derechos de exportación. Tampoco incluyen gastos de instalación o de puesta en marcha. Los precios se dan a título indicativo y pueden cambiar en función del país, del coste de las materias primas y de los tipos de cambio.
Acerca de DirectIndustry
DirectIndustry es un marketplace que ofrece a los actores B2B una experiencia completa, desde el abastecimiento de productos hasta la compra. DirectIndustry es una entidad de VirtualExpo Group.
¿Es usted comprador?
¿Es usted proveedor?
© 2026 Todos los derechos reservados - Aviso legal - Política de Confidencialidad - Condiciones generales de uso - Administración de las cookies - 鄂ICP备16017613号-2 -