ResumenMide simultáneamente el desalineamiento entre los patrones frontal y posterior tras la exposición doble cara y el desalineamiento del wafer tras el unión mediante medición Top-Bottom. También mide la desviación de alineamiento tras la exposición de la capa superficial mediante medición Top-Top. Disponibles configuraciones cassette-a-cassette y semi-automática.
Aplicaciones- Fabricación de dispositivos semiconductores
- Control de procesos para dispositivos CMOS
- Control de precisión de patrón frontal/trasero en producción de sensores
Especificaciones clave- Tamaño de wafer: Max φ12 pulgadas
- Repetibilidad de medida: 10X → 0,2 μm / 3σ (Top-Bottom); 20X → 0,02 μm / 3σ (Top-Bottom)
- Ubicaciones de medición en pantalla: 25 posiciones
- Capacidad de recetas: 2.000
- Rendimiento: Top-Top 100 wafers/hora (medición 5 puntos); Top-Bottom 100 wafers/hora
- Configuraciones disponibles: cassette-a-cassette, tipo semi-automático
Operación e integración- Soporte para hasta 2.000 recetas de medición y puntos de medición configurables
- Adecuado para integración en líneas de producción en línea (cassette-a-cassette) y operación semi-automática independiente
- Modos de medición: Top-Top y Top-Bottom para verificación de alineación de superficie y de capas unidas