Disco de cerámica

nitruro de aluminiode aislamiento

Con sus propiedades de aislamiento eléctrico y excelente conductividad térmica, la cerámica de nitruro de aluminio (AlN) es ideal para aplicaciones en las que se requiere disipación del calor. Además, dado que ofrece un coeficiente de expansión térmica (CTE) cercano al del silicio, y una excelente resistencia al plasma, se utiliza para componentes de equipos de procesamiento de semiconductores.Buenas propiedades mecánicas,Mayor resistencia a la flexión que las cerámicas Al2O3 y BeO,Alta resistencia a la temperatura y a la corrosión.Alta conductividad térmica combinada con buenas características de aislamiento eléctrico.Estabilidad excepcional cuando se expone a muchas sales fundidas.Estabilidad térmica hasta al menos 1500°CCaracterísticas mecánicas favorables que se extienden al rango de altas temperaturas.Baja expansión térmica y resistencia al choque térmico.Características ópticas y acústicas especiales.PropiedadesValorColor Gris oscuroContenido principal96%ALNDensidad bruta(g/cm3)3,335Absorción de agua0,00Resistencia a la flexión(MPa)382,70Constante dieléctrica(1MHz)8.56Coeficiente de expansión térmica lineal(/℃，5℃/min, 20-300℃)2,805*10-6Conductividad térmica(30 grados Celsius)>=170Durabilidad química(mg/cm2)0,97Resistencia al choque térmicoSin grietasResistividad volumétrica(Ω.cm) (20 grados Celsius)1,4*1014Resistencia dieléctrica(KV/mm)18.45Rugosidad de la superficie Ra(μm)0,3-0,5Cámara(longitud ‰）<=2‰Moldeo por inyección de cerámicaMoldeo por inyección de baja presiónPrensa isostática en fríoPrensa en secoFundición en cintaProcesamiento de mecanizado de precisiónDisipadores de calor cerámicos de AlN para sistemas de alta potenciaCrisol de AlN, plato de evaporación de Al y otras piezas resistentes a la corrosión a alta temperatura.Sustratos de cobre de unión directa (DBC)Varilla cerámica de AlNOblea cerámica de AlNSustrato cerámico de AlNCalentador cerámico de AlNForma personalizadaComponentes para equipos semiconductoresEmpaquetado ICSustrato para módulos térmicosSustrato para módulos transistores de alta potenciaSustrato para dispositivos de alta frecuenciaPlaca de aislamiento térmico para módulos tiristoresLáser semiconductor, sustrato fijo para diodo emisor de luz （LED)Módulo integrado híbrido, módulo de dispositivo de encendidoUtilizado en la sinterización de cerámicas estructuralesCrisol de AlN para la fusión de metales y cigarrillos electrónicosAplicado a materiales luminososAplicado al material de sustratoEl nitruro de aluminio (AlN) tiene una anchura de banda directa máxima de 6.2eV, que tiene una eficiencia de conversión fotoeléctrica superior a la de un semiconductor de banda prohibida indirecta. Como importante material luminiscente azul y ultravioleta, el AlN se utiliza en diodos emisores de luz ULTRAVIOLETA/ultravioleta profundo, diodos láser ultravioleta y detectores ultravioleta. Además, el AlN puede formar soluciones sólidas continuas con compuestos de nitruro del grupo III, como el GaN y el InN, y sus aleaciones de tres o cuatro elementos pueden lograr una brecha de banda sintonizable continua desde la banda visible hasta la banda ultravioleta profunda, lo que lo convierte en un importante material luminiscente de alto rendimiento.Los cristales de AlN son sustratos ideales para materiales epitaxiales de GaN, AlGaN y AlN. En comparación con los sustratos de zafiro o SiC, el AlN presenta una mayor adaptación térmica y compatibilidad química con el GaN, así como una menor tensión entre el sustrato y la capa epitaxial. Por lo tanto, el cristal de AlN como sustrato epitaxial de GaN puede reducir en gran medida la densidad de defectos en el dispositivo, mejorar el rendimiento del dispositivo, y tiene una buena perspectiva de aplicación en la preparación de dispositivos electrónicos de alta temperatura, alta frecuencia y alta potencia. Además, el sustrato de material epitaxial de AlGaN con cristal de AlN como componente de alto Al puede reducir eficazmente la densidad de defectos en la capa epitaxial de nitruro, y mejorar en gran medida el rendimiento y la vida útil de los dispositivos semiconductores de nitruro.Especificación regular del sustrato cerámico ALN:Longitud y anchura: 25,4 mm; 50,8 mm; 63,5 mm; 76,2 mm; 101,6 mm; 114,3 mm; 127 mm; 152,4 mm.Espesor: 0,25 mm; 0,5 mm; 0,63 mm;1 mm;1,5 mm; 2 mm.Buenas propiedades mecánicasMayor resistencia a la flexión que las cerámicas Al2O3 y BeOAlta resistencia a la temperatura y a la corrosiónAlta conductividad térmica con buen aislamiento eléctricoEstabilidad excepcional con sales fundidasEstabilidad térmica hasta 1500°CBaja expansión térmica y resistencia al choque térmicoCaracterísticas ópticas y acústicas especialesColor: gris oscuroContenido principal: 96%ALNDensidad a granel: 3.335 g/cm³Absorción de agua: 0.00Resistencia a la flexión: 382,70 MPaConstante dieléctrica: 8,56 (1MHz)Coeficiente de expansión térmica lineal: 2,805*10^-6 (/℃, 5℃/min, 20-300℃)Conductividad térmica: ≥170 (30°C)Durabilidad química: 0,97 mg/cm²Resistencia al choque térmico: Sin grietasResistividad volumétrica: 1,4*10^14 Ω.cm (20°C)Rigidez dieléctrica: 18,45 KV/mmRugosidad de la superficie Ra: 0,3-0,5 μmCámara (longitud ‰): ≤2‰