Descripción del productoLámina aislante cerámica diseñada para encapsulados TO-247 que proporciona aislamiento eléctrico y una interfaz térmica eficiente. Fabricada en cerámica de alúmina (Al₂O₃) y nitruro de aluminio (AlN). Disponible en dos variantes: pad de refrigeración con orificios de 3,7 mm y pad sin orificios. Habitualmente usada en ensamblajes de semiconductores discretos de alta potencia como MOSFET, IGBT y transistores.
Características- Transferencia de calor eficiente desde dispositivos de alta potencia (MOSFET, IGBT, transistores)
- Rendimiento estable bajo cargas térmicas y eléctricas elevadas
- Distribución uniforme de la presión para un contacto constante
- Contribuye a prolongar la vida útil de los componentes y mejorar la fiabilidad del sistema
- Alto rendimiento térmico combinado con aislamiento eléctrico
Aplicaciones- Interfaz térmica para pads de refrigeración de IGBT, disipación térmica de MOS y gestión térmica de tiristores
- Módulos de potencia DC, controladores de motor e inversores industriales
- Inversores solares, convertidores de turbinas eólicas y sistemas de gestión de baterías
- Fuentes de alimentación de alta eficiencia, amplificadores y sistemas UPS
Especificaciones técnicas- Tipo de producto: lámina aislante cerámica TO-247
- Materiales: cerámica de alúmina (Al₂O₃) y nitruro de aluminio (AlN)
- Variantes: con orificios de 3,7 mm; sin orificios
- Encapsulado objetivo: TO-247
- Funciones principales: aislamiento eléctrico e interfaz térmica para disipación
- Usos típicos: módulos de potencia DC, accionamientos de motor, inversores industriales y electrónica de potencia