Sustrato de cerámica
de óxido de aluminionitruro de aluminio

Sustrato de cerámica - Xiamen Innovacera Advanced Materials Co., Ltd - de óxido de aluminio / nitruro de aluminio
Sustrato de cerámica - Xiamen Innovacera Advanced Materials Co., Ltd - de óxido de aluminio / nitruro de aluminio
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Características

Especificaciones
de cerámica, de óxido de aluminio, nitruro de aluminio

Descripción

Descripción general:
Los sustratos cerámicos de nitruro de aluminio (AlN) combinan alta conductividad térmica con aislamiento eléctrico y bajo coeficiente de expansión térmica, por lo que son idóneos para la disipación de calor en circuitos integrados y soportes de chips semiconductores. Las almohadillas de interfaz térmicamente conductoras Innovacera, fabricadas en AlN o alúmina, mejoran la transferencia térmica entre componentes y sistemas de refrigeración manteniendo el aislamiento eléctrico.

Ventajas:
  • Excelente conductividad térmica
  • Baja constante dieléctrica
  • Baja pérdida dieléctrica
  • Propiedades de aislamiento eléctrico fiables
  • Alta resistencia mecánica; no tóxico
  • Resistencia a altas temperaturas y a la corrosión química


Almohadillas de interfaz térmicamente conductoras:
Las almohadillas cerámicas rellenan las microgrietas de aire entre superficies imperfectas, creando un camino térmico preferente desde los componentes generadores de calor hasta disipadores o placas de refrigeración. El uso de AlN o alúmina mejora la conductividad térmica manteniendo la aislación eléctrica, apropiado para conjuntos de alta densidad de calor.

Aplicaciones:
  • Dispositivos de potencia y convertidores
  • Ensamblajes MOSFET y transistores MOS
  • Interfaces con disipadores térmicos
  • Montajes y portadores de chips IC
  • Gestión térmica en encapsulados
  • Material de interfaz térmica (TIM) para placas LED
  • Conducción térmica Chip-on-Film (COF)
  • Disipadores de calor para transistores IGBT


Especificaciones técnicas:
  • Material: nitruro de aluminio (AlN) cerámico; alúmina también utilizada para almohadillas
  • Conductividad térmica: cristal de AlN ≈250 W/m·K (valores teóricos hasta ≈320 W/m·K a temperatura ambiente)
  • Bajo coeficiente de expansión térmica
  • Alta resistividad eléctrica y aislamiento fiable
  • Baja constante dieléctrica y baja pérdida dieléctrica
  • Alta resistencia mecánica y resistencia a la temperatura
  • Resistencia a la corrosión química
  • Usos típicos: dispositivos de comunicación, LED de alta potencia, electrónica de potencia

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