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Tensión: 60 V
... Transistor NPN de silicio epitaxial Aplicaciones Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes. ...
Onsemi
Corriente: 15 A
Tensión: 60 V - 120 V
... El transistor bipolar de potencia está diseñado para aplicaciones de audio de alta potencia, motores paso a paso y otras aplicaciones lineales. También se puede utilizar en circuitos de conmutación de potencia, como controladores ...
Onsemi
Corriente: 15 A
Tensión: 60 V - 120 V
... El transistor bipolar de potencia está diseñado para aplicaciones de audio de alta potencia, motores paso a paso y otras aplicaciones lineales. También se puede utilizar en circuitos de conmutación de potencia, como controladores ...
Onsemi
Corriente: 10 A
Tensión: 100 V
... El transistor bipolar de potencia está diseñado para aplicaciones de amplificación y conmutación de uso general, en las que se requiere que la superficie de montaje del dispositivo esté eléctricamente aislada del disipador ...
Onsemi
Corriente: 800 A
Tensión: 1.200 V
... El NXH800H120L7QDSG es un módulo de potencia IGBT de medio puente nominal. Los IGBT integrados Field Stop Trench 7 y los diodos Gen. 7 proporcionan menores pérdidas de conducción y de conmutación, lo ...
Onsemi
Corriente: 800 A
Tensión: 1.200 V
... El SNXH800H120L7QDSG es un módulo de potencia IGBT de medio puente nominal. Los IGBT integrados Field Stop Trench 7 y los diodos Gen. 7 proporcionan menores pérdidas de conducción y de conmutación, lo ...
Onsemi
Corriente: 8 A
Tensión: 600 V
... Este IGBT utiliza el avanzado proceso PowerMESH™ que da como resultado una excelente relación entre el rendimiento de conmutación y el bajo comportamiento en estado encendido. Todas las características Menor caída de ...
STMicroelectronics
Corriente: 8 A
Tensión: 600 V
... Este IGBT utiliza el avanzado proceso PowerMESH™ que da como resultado una excelente relación entre el rendimiento de conmutación y el bajo comportamiento en estado encendido. Todas las características Menor caída de ...
STMicroelectronics
Corriente: 8 A
Tensión: 600 V
... Este IGBT utiliza el avanzado proceso PowerMESH™ que da como resultado una excelente relación entre el rendimiento de conmutación y el bajo comportamiento en estado encendido. Todas las características Menor caída de ...
STMicroelectronics
Corriente: 8 A
Tensión: 600 V
... Este IGBT utiliza el avanzado proceso PowerMESH™ que da como resultado una excelente relación entre el rendimiento de conmutación y el bajo comportamiento en estado encendido. Todas las características Menor caída de ...
STMicroelectronics
Corriente: 30 A
Tensión: 600 V
... Este IGBT utiliza el avanzado proceso PowerMESH, lo que da como resultado una excelente relación entre el rendimiento de conmutación y el bajo comportamiento en estado encendido. Todas las características Baja caída ...
STMicroelectronics
Corriente: 0,8 A
Tensión: 50 V
... Ganancia de corriente DC hFE Máx.:400 Ganancia de corriente continua hFE mín.:160 Descripción:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Transistor bipolar CI (A):0,8 PD (W):0,625 Paquete:TO-92 Polaridad: NPN Estado:Activo TJ Max. (°C):150 VCBO (V):50 VCE ...
Tensión: 20, 50 V
... Transistor MOSFET y NPN de canal N en un solo paquete Baja On-Resistencia Muy baja tensión de umbral de puerta, 1,0V máx Baja capacitancia de entrada Velocidad de conmutación rápida Baja Fuga de Entrada/Salida ...
Diodes Incorporated
Tensión: 11 V
... 3.Ganancia unitaria de 2GHz para aplicaciones de conmutación RF - Totalmente libre de plomo y totalmente compatible con RoHS (Notas 1 y 2) - Libre de halógenos y antimonio. Dispositivo "verde" (Nota 3) - Calificado según las normas AEC-Q101 ...
Diodes Incorporated
Tensión: 50, 60, 7 V
... El CMKT3920 de Central Semiconductor (dos transistores NPN simples) es una combinación doble en un encapsulado SOT-363 ULTRAmini™ que ahorra espacio, diseñado para aplicaciones de amplificación y conmutación de propósito ...
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