Sustrato de cerámica

nitruro de aluminiode capa finaen capa gruesa

Descripción general
En la actualidad, con el incremento masivo de la potencia de cálculo impulsada por la IA, las actualizaciones de comunicación 5G y la transición de los vehículos de nueva energía hacia plataformas de 800V, la disipación de calor y la fiabilidad del encapsulado se han convertido en cuellos de botella que limitan el rendimiento del sistema. Los sustratos cerámicos de nitruro de aluminio, por su elevada conductividad térmica, buenas propiedades de aislamiento y un coeficiente de expansión térmica (CTE) muy compatible con materiales semiconductores, se emplean en módulos ópticos de alta velocidad, dispositivos RF y semiconductores de potencia.

Puntos destacados del producto
INNOVACERA suministra sustratos AlN rectificados con planitud de superficie extrema, admitiendo diversos procesos de metalización como DPC (Direct Plated Copper) y AMB (Active Metal Brazing) para garantizar operación estable en entornos exigentes.

Ventajas
Característica — Valor técnico
Conductividad térmica ultralta — Conductividad térmica de 170–230 W/m·K, 7–10 veces la de las cerámicas de alúmina tradicionales, resolviendo los retos de disipación de calor en su origen.
CTE emparejado — CTE aproximadamente 4,5 ppm/°C, muy compatible con Silicio (Si) y Nitruro de Galio (GaN), reduciendo considerablemente tensiones térmicas y aumentando la vida útil del encapsulado.
Aislamiento eléctrico superior — Alta resistividad volumétrica y rigidez dieléctrica, garantizando seguridad eléctrica e integridad de la señal en entornos de alta tensión y alta frecuencia.
Tecnología de superficie avanzada — Rugosidad típica Ra ≤ 0,5 μm que asegura precisión y rendimiento en el montaje de chips y soporta interconexiones complejas.

Especificaciones y selección
Ofrecemos tres especificaciones estándar con un espesor de 1,0 mm; disponible personalización.
Modelo | Dimensiones (L×W) | Aplicaciones recomendadas | Consejo de selección
Modelo A | 37 × 26 mm | Módulos IGBT, OBC automotriz, módulos ópticos de gran tamaño | Proporciona mayor área efectiva de disipación, adecuado para encapsulados de alta potencia y complejos.
Modelo B | 35 × 22 mm | Módulos ópticos 800G/1.6T, amplificadores de potencia RF (PA) | Especificación principal del mercado, equilibrio entre rendimiento y coste con cadena de suministro madura.
Modelo C | 25 × 20 mm | LED automotriz, iluminación industrial, submódulos de pequeña escala | Alta relación coste‑efectividad, ideal para escenarios con restricción de tamaño o sensibles al coste.

Aplicaciones

• Módulos ópticos de alta velocidad (800G / 1.6T) — Aborda densidades de flujo térmico extremas hasta 15–20 W/cm² en módulos 1.6T; el uso de sustratos AlN por módulo ha aumentado con la demanda impulsada por la IA.
• Comunicación RF y microondas (5G / Satélite) — Baja pérdida dieléctrica (tanδ < 0.001) optimizada para transmisión de señales de alta frecuencia; proporciona refrigeración y soporte para transistores de potencia GaN; usado en 5G NR, mmWave y banda Ka satelital.
• Vehículos de nueva energía (electrónica de potencia / IGBT) — Adecuado para plataformas de 800V, proporcionando aislamiento y refrigeración de alta fiabilidad para módulos SiC MOSFET e IGBT; cumple con requisitos de ciclos térmicos, choque térmico y vibración.
• LED de alta potencia (faros automotrices / curado industrial) — Ideal para módulos COB o multi‑chip integrados, exporta calor eficazmente para asegurar alta eficiencia luminosa y larga vida útil; usado en faros LED inteligentes, curado UV industrial y iluminación comercial de alto nivel.

Metalización y procesamiento
Admite múltiples procesos de metalización, incluidos DPC (Direct Plated Copper) para circuitos finos, AMB (Active Metal Brazing) para módulos de potencia de alta fiabilidad, y metalización de película gruesa o delgada para encapsulados electrónicos personalizados.

Por qué elegir estos sustratos AlN
La alta conductividad térmica, la compatibilidad de CTE con semiconductores comunes, el excelente aislamiento eléctrico y la planitud superficial avanzada se combinan para mejorar la gestión térmica, la integridad de la señal y la fiabilidad a largo plazo en paquetes electrónicos y fotónicos de alto rendimiento.

Especificaciones técnicas

• Material: sustrato cerámico de nitruro de aluminio (AlN)
• Conductividad térmica: 170–230 W/m·K
• Coeficiente de expansión térmica (CTE): aproximadamente 4,5 ppm/°C
• Pérdida dieléctrica (típica): tanδ < 0.001 (optimizado para uso en alta frecuencia)
• Rugosidad de superficie: Ra típico ≤ 0,5 μm
• Espesor estándar: 1,0 mm (personalización disponible)
• Modelos y dimensiones estándar: Modelo A (37 × 26 mm), Modelo B (35 × 22 mm), Modelo C (25 × 20 mm)
• Aplicaciones recomendadas: módulos ópticos de alta velocidad (800G / 1.6T), potencia RF/microondas y PA, electrónica de potencia (IGBT/SiC MOSFET), LED de alta potencia
• Opciones de metalización: DPC, AMB, metalización de película gruesa, metalización de película delgada
• Principales beneficios: conductividad térmica extrema frente a alúmina, alta resistividad volumétrica y rigidez dieléctrica, CTE compatible con Si/GaN, alta precisión superficial para montaje de chips