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Corriente: -16,4 A
Tensión: -60 V
... MOSFET de canal P en nivel normal y lógico, que reducen la complejidad del diseño en aplicaciones de media y baja potencia OptiMOS™ MOSFETs de canal P 60V en encapsulado DPAK representa la nueva tecnología dirigida a aplicaciones de gestión de baterías, ...
Infineon Technologies AG
Corriente: 40 A
Tensión: 40 V
... MOSFET de potencia OptiMOS™ 6 que combinan el mejor RDS(on) de su clase con un rendimiento de conmutación superior La familia OptiMOS™ 6 power MOSFET 40V está optimizada para una gran variedad de aplicaciones y circuitos, como la rectificación síncrona ...
Infineon Technologies AG
Corriente: 61 A
Tensión: 600 V
... El MOSFET de superunión CoolMOS™ P7 es el sucesor de la serie CoolMOS™ P6 de 600 V. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. El mejor RonxA de su clase y la inherente baja carga de puerta (QG) ...
Infineon Technologies AG
Corriente: 61 A
Tensión: 600 V
... El MOSFET de superunión CoolMOS™ P7 es el sucesor de la serie CoolMOS™ P6 de 600 V. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. El mejor RonxA de su clase y la inherente baja carga de puerta (QG) ...
Infineon Technologies AG
Corriente: 61 A
Tensión: 600 V
... El MOSFET de superunión CoolMOS™ P7 es el sucesor de la serie CoolMOS™ P6 de 600 V. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. El mejor RonxA de su clase y la inherente baja carga de puerta (QG) ...
Infineon Technologies AG
Corriente: 20 A
Tensión: 600 V
... El MOSFET de superunión CoolMOS™ P7 es el sucesor de la serie CoolMOS™ P6 de 600 V. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. El mejor RonxA de su clase y la inherente baja carga de puerta (QG) ...
Infineon Technologies AG
Corriente: 18 A
Tensión: 600 V
... El MOSFET de superunión CoolMOS™ P7 de 600 V es el sucesor de la serie CoolMOS™ P6 de 600 V. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. El mejor RonxA de su clase y la inherente baja carga de puerta ...
Infineon Technologies AG
Corriente: 9 A
Tensión: 600 V
... El MOSFET de superunión CoolMOS™ P7 es el sucesor de la serie CoolMOS™ P6. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. El mejor RonxA de su clase y la inherente baja carga de puerta (QG) de la plataforma ...
Infineon Technologies AG
Corriente: 101 A
Tensión: 600 V
... El MOSFET de superunión CoolMOS™ P7 de 600 V es el sucesor de la serie CoolMOS™ P6 de 600 V. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. El mejor RonxA de su clase y la inherente baja carga de puerta ...
Infineon Technologies AG
Corriente: 101 A
Tensión: 600 V
... El MOSFET de superunión CoolMOS™ P7 es el sucesor de la serie CoolMOS™ P6. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. El mejor RonxA de su clase y la inherente baja carga de puerta (QG) de la plataforma ...
Infineon Technologies AG
Tensión: 1.700, 2.500, 4.500 V
... Diseñados con la tecnología patentada XPT™ de oblea delgada y el proceso IGBT más avanzado, estos dispositivos presentan cualidades como una resistencia térmica reducida, baja corriente de cola, baja pérdida de energía y capacidad de ...
Littelfuse
Corriente: 600 A
Tensión: 1.200 V
... Los módulos IGBT de Littelfuse ofrecen la alta eficiencia y las rápidas velocidades de conmutación de la moderna tecnología IGBT en un formato robusto y flexible. Utilizados para aplicaciones de control de potencia, Littelfuse ...
Littelfuse
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