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Tensión: 1.700, 2.500, 4.500 V
... Diseñados con la tecnología patentada XPT™ de oblea delgada y el proceso IGBT más avanzado, estos dispositivos presentan cualidades como una resistencia térmica reducida, baja corriente de cola, baja pérdida de energía y capacidad de ...
Corriente: 600 A
Tensión: 1.200 V
... Los módulos IGBT de Littelfuse ofrecen la alta eficiencia y las rápidas velocidades de conmutación de la moderna tecnología IGBT en un formato robusto y flexible. Utilizados para aplicaciones de control de potencia, Littelfuse ...
Corriente: 28 A
Tensión: 650 V
... El IGBT TRENCHSTOP™ 5 S5 de conmutación dura en un encapsulado TO-220 de tamaño reducido se dirige a aplicaciones que conmutan entre 10 kHz y 40 kHz para ofrecer alta densidad de corriente, alta eficiencia, ciclos de comercialización ...
Infineon Technologies AG
Corriente: 15 A
Tensión: 140 V
... Transistor bipolar de potencia NPN Los MJ15001 y MJ15002 son transistores de potencia diseñados para audio de alta potencia, posicionadores de cabezales de disco y otras aplicaciones lineales. Características Alta ...
Onsemi
Corriente: 150 A - 3.600 A
Tensión: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V
... Los módulos de energía IGBT de Hitachi Energy se encuentran disponibles de 1700 a 6500 voltios como módulos de diodos duales e IGBT de interruptor chopper de patas de fase simple/dual. Los módulos HiPak IGBT ...
Corriente: 24 A
Tensión: 1.700 V
... El dispositivo utiliza un colector difuso en tecnología planar que adopta una "estructura mejorada de alto voltaje" (EHVS1) desarrollada para adaptarse a las pantallas CRT de alta definición. La nueva serie de productos HD presenta una eficiencia del ...
STMicroelectronics
Corriente: 20 A
Tensión: 650 V
... Pérdida de conmutación reducida, lo que permite la conmutación de alta velocidad . (paquete de 2 pines) Calificación AEC-Q101 Menor tiempo de recuperación Conmutación de alta velocidad posible Menor dependencia de la temperatura ...
ROHM Semiconductor
SEMIKRON
... Enchufe Dvice de Alta Corriente Alta temperatura ℃ 5.paso de 45 mm Ángulo recto Baja emisión de gases Se trata de un zócalo que puede corresponder a la disposición de placas de circuito impreso con restricciones de altura girando el dispositivo lateralmente. ● ...
JC CHERRY INC.
Tensión: 60 V
... DESCRIPCIÓN: El SEMICONDUCTOR CENTRAL BCV47 es un transistor de silicio NPN Darlington fabricado por el proceso planar epitaxial, moldeado con epoxi en un paquete de montaje superficial, diseñado para aplicaciones que requieren una ganancia ...
Central Semiconductor
Corriente: 0,8 A
Tensión: 50 V
... Ganancia de corriente DC hFE Máx.:400 Ganancia de corriente continua hFE mín.:160 Descripción:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Transistor bipolar CI (A):0,8 PD (W):0,625 Paquete:TO-92 Polaridad: NPN Estado:Activo TJ Max. (°C):150 VCBO ...
Tensión: 20, 50 V
... Transistor MOSFET y NPN de canal N en un solo paquete Baja On-Resistencia Muy baja tensión de umbral de puerta, 1,0V máx Baja capacitancia de entrada Velocidad de conmutación rápida Baja Fuga de Entrada/Salida Paquete de montaje ...
Diodes Incorporated
Corriente: 25 mA
Tensión: 20 V
... Tensión Colector Emisor - Vceo 20 V Corriente continua de colector - Ic - 25 mA Polaridad - pol - NPN Disipación de potencia - Ptot - 0,200 W Temperatura de unión - Tjmax - 150 °C Ganancia de corriente continua - hfe - 85 - VcE - 10V - Ic - 7 mA Tensión ...
Diotec
Corriente: 150 A
Tensión: 600 V
... Interruptores - de medio puente. Los módulos IGBT están alojados en una caja industrial estándar que facilita la integración del dispositivo en los equipos existentes. Los módulos IGBT ( Transistor Bipolar ...
Corriente: 10, 25 A
Tensión: 1.200 V
... Características -Tecnología IGBT Trench + Filed Stop -Capacidad de cortocircuito de 10ps -Versât) con coeficiente de temperatura positivo -Caja de baja inductancia -Recuperación inversa rápida y suave antiparalela FWD -Placa base de cobre ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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