Módulo de transistor IGBT RT25PI120B9H
de potencia

módulo de transistor IGBT
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Características

Tipo
IGBT
Tecnología
de potencia
Corriente

10 A, 25 A

Tensión

1.200 V

Descripción

Características -Tecnología IGBT Trench + Filed Stop -Capacidad de cortocircuito de 10ps -Versât) con coeficiente de temperatura positivo -Caja de baja inductancia -Recuperación inversa rápida y suave antiparalela FWD -Placa base de cobre aislada con tecnología DBC Aplicaciones típicas -Inversor para accionamiento de motor -Aire acondicionado -Sistema de alimentación ininterrumpida

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* Los precios no incluyen impuestos, gastos de entrega ni derechos de exportación. Tampoco incluyen gastos de instalación o de puesta en marcha. Los precios se dan a título indicativo y pueden cambiar en función del país, del coste de las materias primas y de los tipos de cambio.