Ranuradora automática ALSI LASER1206

Descripción general
¿Busca la plataforma idónea para desarrollar nuevas soluciones de proceso para Advanced Packaging o aplicaciones Power Automotive? La plataforma ALSI LASER1206 de ASMPT incorpora tecnología láser avanzada que impulsa su proceso de fabricación de chips al siguiente nivel.

Características y ventajas

• Tecnología láser avanzada multi-haz: carga térmica local limitada que proporciona la mejor calidad de proceso y alta resistencia del dado.
• Capacidad de singulación (dicing) y ranurado (grooving) para fabricación de alto volumen.
• Manipulación totalmente automatizada de wafers en marco de película y wafers desnudos.
• Incluye estaciones de recubrimiento, limpieza y secado de recubrimiento de wafers.
• Miniambiente limpio (Clase 1000): puertas cerradas entre cada módulo de proceso.

Aplicaciones
La LASER1206 soporta múltiples procesos y materiales semiconductores:

• UV-Dicing Plus
  • Materiales: Low-K, PI, Si, SiC, GaN, GaAs, TEG, BSM, Mold, DAF, NCF
  • Espesor de wafer: 20–200 µm
  • Procesos: V-DOE dicing, trenching, deep scribe
• UV-USP-Grooving
  • Materiales: Low-K, PI, TEG
  • Espesor de wafer: 60–800 µm
  • Procesos: Trenching, grooving, deep scribe

Descripción de la plataforma
La plataforma totalmente automatizada ALSI LASER1206 procesa wafers en marco de película o wafers desnudos en un entorno limpio. La plataforma elimina los daños térmicos que provocan la formación de rebabas y es una herramienta esencial como pre-proceso para el plasma dicing y otros métodos de procesamiento de wafers de próxima generación.

Especificaciones técnicas

• Tecnología láser avanzada multi-haz para limitar la carga térmica local y maximizar la resistencia del dado
• Capacidades de dicing y grooving optimizadas para fabricación de alto volumen
• Manipulación automatizada: soporte de wafers en marco de película y wafers desnudos
• Estaciones integradas de recubrimiento, limpieza y secado de wafers
• Miniambiente limpio (Clase 1000) con puertas cerradas entre módulos de proceso
• Procesos soportados: V-DOE dicing, trenching, deep scribe, grooving
• Materiales soportados: Low-K, PI, Si, SiC, GaN, GaAs, TEG, BSM, Mold, DAF, NCF
• Rangos de espesor de wafer: 20–200 µm (UV-Dicing Plus) y 60–800 µm (UV-USP-Grooving)