Microsoldadora de chips eutécticas NOVA Propara die attachflip-chipde epoxi
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Características
- Tecnología
- flip-chip, de epoxi, para die attach, eutécticas, multi-chip, térmica, chip-on-submount
- Especificaciones
- automatizada
- Aplicaciones
- para la industria de los semiconductores, para microestructuras, para obleas, para sensor, MEMS
- Otras características
- de alta precisión, configurable, de gran superficie
- Precisión de colocación
1 µm
Descripción
Resumen del producto El NOVA Pro de ASMPT AMICRA es un sistema de colocación de dies diseñado para el ensamblaje de die attach y flip‑chip con alta precisión. Mantiene una exactitud de colocación de ±1,0 µm @ 3σ y puede operar a temperaturas de unión superiores a 350°C aplicando fuerzas de unión elevadas. Integra alineamiento dinámico y calentamiento del sustrato por láser, y soporta procesos de termocompresión (TCB) y tareas relacionadas con TSV.
Aplicaciones / Sectores
Características clave
Carga automática
Opcional
Especificaciones técnicas
Aplicaciones / Sectores
- Optoelectrónica
- Fotónica de silicio
- Ensamblaje de VCSEL y diodos láser
- Ensamblaje de fotodiodos
- Fijación de lentes con adhesivos UV
- Ensamblajes Active Optical Cable (AOC)
- Paquetes de transceptores
- Flip chip
- 3D IC / 2.5D IC
- Termocompresión (TCB)
- Procesos Through‑Silicon Via (TSV)
- Chip on Chip, Chip on Wafer, Chip on Substrate
- Multi‑Chip Module (MCM)
- Adhesión epoxi para packaging avanzado
- Adhesión eutéctica in‑situ
- Ensamblaje de MEMS y sensores
- WLP / eWLP
Características clave
- Bonder de alta precisión para die / flip‑chip
- Precisión de colocación: ±1,0 µm @ 3σ
- Capacidad de unión a temperaturas > 350°C con altas fuerzas
- Tiempo de ciclo < 3 s
- Concepto de máquina modular para micro‑ensamblaje
- Unión eutéctica por diode‑laser, placa calefactora o estampado/dispensing de epoxi
- Capacidad de multi flip‑chip
- Mapeo de wafer
- Inspección y medición post‑unión
- Control activo de fuerza de unión
- Método de alineamiento dinámico y calentamiento del sustrato por láser
Carga automática
- Wafers hasta 12"
- Wafers de 300 mm
- Wafers sustrato de 450 mm
Opcional
- Curado UV
- Dispensing
- Módulos adicionales disponibles
Especificaciones técnicas
- Precisión de colocación: ±1,0 µm @ 3σ
- Área de trabajo del sustrato: 550 x 600 mm
- Tiempo de ciclo: < 3 s
- Control activo de la fuerza de unión
- Métodos de unión eutéctica: diode‑laser, placa calefactora, estampado y dispensing de epoxi
- Soporte para termocompresión (TCB) y procesos TSV
- Multi flip‑chip
- Capacidad de mapeo de wafer
- Inspección / medición post‑unión
- Alineamiento dinámico y calentamiento del sustrato por láser
- Capaz de unir a temperaturas superiores a 350°C
- *El rendimiento depende del paquete y los materiales
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* Los precios no incluyen impuestos, gastos de entrega ni derechos de exportación. Tampoco incluyen gastos de instalación o de puesta en marcha. Los precios se dan a título indicativo y pueden cambiar en función del país, del coste de las materias primas y de los tipos de cambio.