Microsoldadora de chips eutécticas CoS

para die attachflip-chipde epoxi

Descripción general
ASMPT AMICRA CoS es un equipo de unión multi-die diseñado para aplicaciones Chip-on-Submount. Realiza colocación multi-die de alta precisión en submounts singulados mediante unión eutéctica (calentador por pulso cerámico o calentamiento láser localizado sin contacto) y puede equiparse con estampado epoxi para pasta de soldadura o epoxi. La mesa de unión dispone de dos mordazas; el lado chip emplea alineamiento dinámico ASMPT AMICRA para pick-and-place de alta precisión y el lado submount gestiona la carga/descarga de substratos.

Características

• Precisión de colocación hasta ±1,5 µm @ 3σ
• Diseñado para chip-on-chip, submount y aplicaciones con carrier
• Carga/descarga manual de obleas y substratos
• Tiempo de ciclo típico 6–10 s (según aplicación)
• Tamaño de die (calentamiento láser): 0,15 x 0,15 mm – 3 x 8 mm
• Tamaño de die (pulse heater): 0,15 x 0,15 mm – 8 x 8 mm
• Tamaño de substrato: 0,3 x 0,3 mm – 16 x 16 mm
• Alineamiento dinámico de componentes para pick-and-place activo
• Funcionalidad Die Attach y Flip Chip
• Sistema de eyección separado para chip y submount
• Unión eutéctica con cabezal calefactable (hasta 350°C) o pulse heater cerámico (hasta 400°C)
• Dos cabezales de recogida para carga/descarga de submounts
• Control activo de fuerza de unión con rango 5–500 g
• Inspección post-unión y mapeo de obleas incluidos
• Entrada/salida de submount compatible con Wafer, Gel Pak o Waffle Pack

Opcionales

• Unidad Flip Chip
• Unidad de estampado epoxi
• Unidad de dispensado
• Unidad de calentamiento láser localizada para calentamiento sin contacto de substratos (hasta 450°C)
• Opciones adicionales personalizadas disponibles bajo petición

Especificaciones técnicas

• Precisión de colocación: hasta ±1,5 µm @ 3σ
• Métodos de unión: unión eutéctica (pulse heater cerámico o calentamiento láser localizado), estampado epoxi (opcional)
• Tiempo de ciclo: reportado hasta 6 s; típico 6–10 s según aplicación
• Tamaño de die (láser): 0,15 x 0,15 mm – 3 x 8 mm
• Tamaño de die (pulse): 0,15 x 0,15 mm – 8 x 8 mm
• Tamaño de substrato: 0,3 x 0,3 mm – 16 x 16 mm
• Temp. máxima cabezal calefactable: hasta 350°C
• Temp. máxima pulse heater cerámico: hasta 400°C
• Temp. máxima opción láser: hasta 450°C
• Control de fuerza: Active Bond Force Control; rango 5–500 g
• Mesa de unión: dos mordazas de unión
• Manipulación: dos cabezales de recogida para carga/descarga de submounts
• Sistema de eyección separado para chip y submount
• Inspección post-unión integrada y mapeo de obleas
• Gestión de submounts: entrada/salida compatible con Wafer, Gel Pak o Waffle Pack