- Metrología - Laboratorio
- Componente Optico
- Fotodiodo InGaAs
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Fotodiodo InGaAs XSJ-10-APD5-40avalanchaPINchip on carrier
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Características
- Especificaciones
- InGaAs, avalancha
- Montaje
- PIN, chip on carrier
Descripción
Descripción
Este chip de fotodiodo de avalancha de 10Gbps (chip APD) es un tipo de estructura de electrodo de tierra-señal-tierra (GSG), con un tamaño de área activa iluminada superior de Φ40μm. Las características de este producto son la alta multiplicación, la baja capacitancia, el alto ancho de banda, el bajo coeficiente de temperatura y la excelente fiabilidad, la aplicación en 10G SONET/SDH y 10G PON receptor óptico.
Características
Φ40μm de área activa.
Alta multiplicación.
Alta tasa de datos.
Bajo coeficiente de temperatura.
Excelente fiabilidad: Todos los chips han superado los requisitos de cualificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE.
pruebas e inspecciones al 100%.
Aplicaciones
10G SONET/SDH
10G PON
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