- Electricidad - Electrónica
- Componente Electrónico
- Microchip fotodiodo
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Microchip PON XSJ-10-APD5-40fotodiodo
Añadir a mis favoritos
Añadir al comparador
¿Quiere comprar directamente?
Visite nuestra Shop.
Características
- Especificaciones
- fotodiodo, PON
Descripción
Este chip de fotodiodo de avalancha (chip APD) de 10Gbps es un tipo de estructura de electrodo tierra-señal-tierra (GSG), con un tamaño de área activa iluminada superior de Φ40μm. Este producto se caracteriza por su alta multiplicación, baja capacitancia, gran ancho de banda, bajo coeficiente de temperatura y excelente fiabilidad, y se aplica en receptores ópticos 10G SONET/SDH y 10G PON.
1. área activa de 40pm.
2. Alta multiplicación.
3. Alta tasa de datos.
4. Bajo coeficiente de temperatura.
5. Excelente fiabilidad: Todos los chips han superado los requisitos de cualificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE.
6. 100% de pruebas e inspección.
Aplicaciones
10G SONET/SDH
10G PON
---
Catálogos
No hay ningún catálogo disponible para este producto.
Ver todos los catálogos de PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.Otros productos de PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Access Network Applications
* Los precios no incluyen impuestos, gastos de entrega ni derechos de exportación. Tampoco incluyen gastos de instalación o de puesta en marcha. Los precios se dan a título indicativo y pueden cambiar en función del país, del coste de las materias primas y de los tipos de cambio.