Fotodiodo InGaAs XSJ-10-M-200-01

PIN

Descripción Este chip de fotodiodo PIN de monitorización InGaAs/InP iluminado en la parte superior con una gran área activa, que tiene una estructura planar, ánodo en la parte superior y cátodo en la parte inferior. El tamaño del área activa es de Φ200μm, y la alta capacidad de respuesta en la región de longitud de onda de 980nm a 1620nm. Aplicación en la monitorización de la salida de potencia óptica de la faceta posterior de varios LD. Características Estructura planar sobre sustrato n+ InP con contacto anódico superior. Área activa de Φ200μm. Alta responsabilidad. Baja corriente oscura. Baja tensión de polarización de funcionamiento. -rango de operación de 40℃ a 85℃. Excelente fiabilidad: Todos los chips han superado los requisitos de cualificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE. pruebas e inspecciones al 100%. Se dispone de dimensiones de chip personalizadas. Aplicaciones Monitorización de la potencia del láser de la faceta posterior.