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- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Microchip fotodiodo XSJ-10-SPD-51de potenciaInPInGaAs
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Características
- Especificaciones
- fotodiodo, de potencia, InP, InGaAs
Descripción
Este chip fotodiodo de alta sensibilidad (super chip PD) tiene una estructura planar InGaAs/InP. Las características son alta capacidad de respuesta, baja capacitancia y baja corriente oscura, aplicación en 2.5Gbps GPON OUN receptor. El chip PIN PD de alta sensibilidad a 2,5 Gbps que funciona con super TIA puede sustituir al APD+TIA a 2,5 Gbps y reducir el coste y el consumo de energía de la ONU.
1. Φ51μm de área activa.
2. Alta responsabilidad y baja corriente oscura.
3. Estructura plana.
4. Baja corriente oscura.
5. Alta sensibilidad, funciona con super TIA puede reemplazar 2.5Gbps APD-TIA.
6. Velocidad de datos de hasta 2,5 Gbps.
7. Excelente fiabilidad: Todos los chips han superado los requisitos de cualificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE.
8. 100% de pruebas e inspección.
Aplicaciones
1. receptor GPON ONU de 2,5 Gbps.
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