- Electricidad - Electrónica
- Componente Electrónico
- Microchip fotodiodo
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Microchip PON XSJ-10-APD4-50Gfotodiodo
Añadir a mis favoritos
Añadir al comparador
¿Quiere comprar directamente?
Visite nuestra Shop.
Características
- Especificaciones
- fotodiodo, PON
Descripción
El chip fotodiodo de avalancha (chip APD) es un tipo de dispositivo activo que proporciona una ganancia integrada y amplifica la fotocorriente. Las características de este producto son ánodo en la parte superior y cátodo en la parte posterior, con un área activa iluminada en la parte superior de Φ50μm para facilitar el montaje óptico; alta capacidad de respuesta, alto factor de multiplicación y baja corriente oscura. El chip APD de 2,5 Gbps de alto rendimiento y el TO-CAN combinado con TIA pueden mejorar la sensibilidad del receptor óptico y su aplicación en la transmisión de redes ópticas pasivas (PON) a temperatura industrial.
1. Φ50μm de área activa.
2. Ánodo en la parte superior y cátodo en la parte posterior.
3. Baja corriente oscura.
4. Excelente respuesta y alta ganancia.
5. Baja corriente oscura.
6. Velocidad de transmisión de datos superior a 2,5 Gbps.
7. Excelente fiabilidad: Todos los chips han superado los requisitos de cualificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE.
8. 100% de pruebas e inspección.
Aplicaciones
1. gPON/EPON I-temp de 2,5 Gbps e inferiores. Unidad de red óptica (ONU).
---
Catálogos
No hay ningún catálogo disponible para este producto.
Ver todos los catálogos de PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.Otros productos de PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Access Network Applications
* Los precios no incluyen impuestos, gastos de entrega ni derechos de exportación. Tampoco incluyen gastos de instalación o de puesta en marcha. Los precios se dan a título indicativo y pueden cambiar en función del país, del coste de las materias primas y de los tipos de cambio.