- Metrología - Laboratorio
- Componente Optico
- Fotodiodo InGaAs
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Fotodiodo InGaAs XSJ-10-APD5-40S-XavalanchaPIN
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Características
- Especificaciones
- InGaAs, avalancha
- Montaje
- PIN
Descripción
Descripción
El chip detector óptico APD de 10Gbps es de estructura de electrodo GSG, para el frente a la luz del chip detector de luz de avalancha de alta velocidad, el tamaño del área fotosensible es de 40um, las principales características del producto son alto multiplicador, baja capacitancia, alto ancho de banda, bajo coeficiente de temperatura y alta fiabilidad, principalmente utilizado en 10G SONET/SDH y 10G PON receptor óptico.
Características
1. Φ40μm de área activa.
2. Alta multiplicación.
3. Bajo coeficiente de temperatura.
4. pruebas e inspecciones al 100%.
5. Excelente fiabilidad: Todos los chips han superado los requisitos de cualificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE.
6. Conformidad con RoHS2.0 (2011/65/UE).
Aplicaciones
1. 10G EPON.
2. XGS Comb PON.
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