- Metrología - Laboratorio
- Componente Optico
- Fotodiodo avalancha
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Fotodiodo avalancha XSJ-10-APD5-50P-XPIN
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Características
- Especificaciones
- avalancha
- Montaje
- PIN
Descripción
Descripción
Este chip de fotodiodo de avalancha 10G (chip APD) es un tipo de electrodo P en la parte superior y electrodo N en la estructura inferior, con un tamaño de área activa iluminada superior de Φ50μm. Este producto se caracteriza por su alta multiplicación, baja capacitancia, gran ancho de banda, bajo coeficiente de temperatura y excelente fiabilidad, y se aplica en receptores ópticos 10G SONET/SDH y 10G PON.
Características
1. Φ50μm de área activa.
2. Alta multiplicación.
3. Bajo coeficiente de temperatura.
4. pruebas e inspecciones al 100%.
5. Excelente fiabilidad: Todos los chips han superado los requisitos de cualificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE.
6. Conformidad con RoHS2.0 (2011/65/UE).
Aplicaciones
1. 10G SONET/SDH.
2. 10G PON.
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