Módulo de transistor IGBT RTK200HF120B

módulo de transistor IGBT
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Características

Tipo
IGBT
Corriente

200 A

Tensión

1.200 V

Descripción

Características: -1200V200A,VCE(sat)(typ.)=2.1V -Pérdidas menores y mayor energía -Excelente resistencia a cortocircuitos -Módulo de medio puente de 62 mm Aplicaciones Generales: Los IGBTs de Rongtech ofrecen pérdidas más bajas y mayor energía para aplicaciones tales como el inversor.drive.motor y otras aplicaciones de conmutación suave.

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Catálogos

RTK200HF120B
RTK200HF120B
7 Páginas
* Los precios no incluyen impuestos, gastos de entrega ni derechos de exportación. Tampoco incluyen gastos de instalación o de puesta en marcha. Los precios se dan a título indicativo y pueden cambiar en función del país, del coste de las materias primas y de los tipos de cambio.