- Electricidad - Electrónica
- Componente Electrónico
- Transistor IGBT
- Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Transistor IGBT RGW40N120T1Bde potencia
Añadir a mis favoritos
Añadir al comparador
Características
- Tipo
- IGBT
- Tecnología
- de potencia
- Corriente
40 A
- Tensión
1.200 mV
Descripción
CARACTERÍSTICAS
-Alta tensión de ruptura hasta 1200V para una mayor fiabilidad
-Tecnología Trench-Stop que ofrece:
>Distribución de parámetros muy ajustada
>Alta robustez, comportamiento estable a la temperatura
>Tiempo de resistencia de cortocircuito - 1 Ops
>Alta robustez, temperatura estable
>BAJO VcE(SAT)
>Fácil capacidad de conmutación en paralelo gracias a un coeficiente de temperatura positivo en
VcE(SAT)
-Mayor capacidad de avalancha
APLICACIÓN
- Convertidores de frecuencia
- Accionamiento por motor
---
Catálogos
Otros productos de Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Discrete IGBT & Module power semi conductors
Búsquedas asociadas
- Condensador eléctrico
- Diodo
- Módulo de transistor
- Condensador eléctrico de cerámica
- Condensador eléctrico de película
- Condensador eléctrico SMD
- Condensador eléctrico de potencia
- Condensador eléctrico de corriente
- Diodo rectificador
- Diodo de tensión
- Condensador eléctrico de tensión
- Diodo de silicio
- Diodo de alta tensión
- Condensador eléctrico cilíndrico
- Condensador eléctrico electrolítico
- Módulo de transistor de conmutación
- Condensador eléctrico para fuente de alimentación conmutada
- Condensador eléctrico autorreparable
- Disipador térmico
- Condensador eléctrico de filtrado
* Los precios no incluyen impuestos, gastos de entrega ni derechos de exportación. Tampoco incluyen gastos de instalación o de puesta en marcha. Los precios se dan a título indicativo y pueden cambiar en función del país, del coste de las materias primas y de los tipos de cambio.