Módulo de transistor IGBT RTS40FB120T5HB
de potencia

módulo de transistor IGBT
módulo de transistor IGBT
Añadir a mis favoritos
Añadir al comparador
 

Características

Tipo
IGBT
Tecnología
de potencia
Corriente

40 A

Tensión

1.200 V

Descripción

-Circuito Corto Nominal>10jjs -Bajo voltaje de saturación: Vce (sat) = 2.15V @ lc = 40A , Tc=25'C -Pérdida de conmutación baja -100% RBSOA Probado (2*lc>>) -Baja inductancia de dispersión -Libre de plomo, conforme a los requisitos de RoHS Aplicaciones: -Inversores industriales -Aplicaciones de Servo

---

Catálogos

No hay ningún catálogo disponible para este producto.

Ver todos los catálogos de Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
* Los precios no incluyen impuestos, gastos de entrega ni derechos de exportación. Tampoco incluyen gastos de instalación o de puesta en marcha. Los precios se dan a título indicativo y pueden cambiar en función del país, del coste de las materias primas y de los tipos de cambio.