- Electricidad - Electrónica
- Componente Electrónico
- Transistor IGBT
- Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Módulo de transistor IGBT RT50PI120T6H-Mde conmutación
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Características
- Tipo
- IGBT
- Tecnología
- de conmutación
Descripción
Características:
- Parada de campo Trench Gâte IGBT
- Resistencia al cortocircuito> 1Ops
- Baja tensión de saturación
- Baja pérdida de conmutación
- 100% RBSOA probado - (2x|c)
- Baja inductancia de dispersión
- Libre de plomo. Cumple con los requisitos RoHS
Aplicaciones:
- Inversores industriales
- Servo Aplicaciones
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Discrete IGBT & Module power semi conductors
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