Amplificador operacional LM358

comparadoranalógicocon filtrado

Resumen
El LM358 es un amplificador operacional dual que aporta dos canales con estabilidad en ganancia unidad y un amplio rango de alimentación para aplicaciones industriales y embebidas de propósito general. Las variantes de nueva generación (LM358B, LM2904B/BA) ofrecen menor offset, menor corriente de reposo y filtrado EMI/RF integrado para un rendimiento mejorado.

Descripción clave
La familia LM358 incluye un rango de entrada en modo común que abarca tierra, bajo offset de entrada y buena tolerancia a tensiones diferenciales. La GBW típica es ~0,7 MHz; las variantes B/BA aumentan la banda y reducen la corriente de reposo. Los dispositivos son adecuados para entornos sensibles al coste y aplicaciones exigentes que requieren robustez ESD e inmunidad EMI.

Funciones

• Rango de tensión de alimentación: 3 V a 30 V (hasta 36 V en algunas variantes B/BA)
• Corriente en reposo: ~300–350 µA por canal (típica, según variante)
• Ancho de banda en ganancia unidad: ~0,7 MHz (LM358); ~1,2 MHz (LM358B/BA)
• Rango de entrada modo común incluye tierra (permite sensado cercano a 0 V)
• Bajo offset de entrada: hasta 2–3 mV según variante
• Filtros RF/EMI integrados y mayor protección ESD en variantes B/BA

Hoja de datos
Consultar la hoja de datos "Industry‑Standard Dual Operational Amplifiers" (Rev. AB) para las características eléctricas completas, conexiones de pines y guías de aplicación.

Encapsulados y medios

• Encapsulados comunes: PDIP, SOIC, SOP, TSSOP, VSSOP, SOT23‑8
• Diagrama funcional y dibujos de encapsulado disponibles

Descripción (detallada)
Las variantes LM358B/LM2904B incorporan mejoras como menor offset típico (≈300 µV citado para B/BA), corriente en reposo reducida (~300 µA por amplificador), mayor robustez ESD (por ejemplo 2 kV HBM en algunas variantes) y filtrado EMI/RF integrado para uso en entornos más duros y diseños con restricciones de espacio.

Características / especificaciones técnicas

• Número de canales: 2
• Tensión total de alimentación (máx): 30 V
• Tensión total de alimentación (mín): 3 V
• Rail-to-rail: entrada hasta V− (modo común incluye tierra)
• GBW (típ): 0,7 MHz (LM358); ~1,2 MHz (B/BA)
• Rate de desalineación (Slew rate) (típ): 0,3 V/µs
• Vos (máx a 25 °C): hasta 7 mV (catálogo); 3 mV (A/B); 2 mV (BA)
• Iq por canal (típ): 0,35 mA (típico); ~0,3 mA para B/BA
• Vn a 1 kHz (típ): 40 nV/√Hz
• Rango de temperatura de operación: 0 a 70 °C
• CMRR (típ): 80 dB
• Iout (típ): 30 mA
• Arquitectura: Bipolar
• Encapsulados representativos: PDIP (8 pines), SOIC (8 pines), SOP, TSSOP, VSSOP, SOT23‑8