Placa de cerámica

de alúminade óxido de aluminiode protección

Descripción general del producto
Las bases y boquillas de cerámica de alúmina (Al2O3) se emplean en equipos de proceso de semiconductores, como sistemas de implantación y componentes de generadores de electrones. Disponibles en grados 95 %, 99 % y 99,7 % Al2O3, estos componentes aportan aislamiento eléctrico, mayor conductividad térmica y resistencia mecánica requerida en ambientes de alta temperatura y alta tensión.

Propiedades clave

• Ingrediente químico principal: Al2O3 (95 % / 99 % / 99,7 %)
• Densidad aparente: 3,6 / 3,89 / 3,96 g/cm3
• Temperatura máxima de uso: 1450°C / 1600°C / 1650°C
• Conductividad térmica (20°C): 16 / 30 / 30,4 W/m·K
• Resistencia dieléctrica: 8,3 (210) / 8,7 (220) / 8,7 (220) ac-kV/mm (ac V/mil)
• Resistividad volumétrica (100°C): >10^13 / >10^14 / >10^14 ohm·cm
• Resistencia a la flexión (20°C): 358 (52) / 550 / 550 MPa
• Resistencia a la compresión (20°C): 2068 (300) / 2600 (377) / 2600 (377) MPa
• Tenacidad a la fractura K(Ic): 4–5 / 5,6 / 6 MPa·m1/2

Aplicaciones
Se utiliza como piezas de aislamiento, blindaje y desgaste en generadores de electrones, equipos de implantación y otras herramientas de fabricación de semiconductores. Adecuada para componentes expuestos a alta temperatura, alto voltaje o atmósferas de proceso corrosivas.

Especificaciones técnicas

• Ingrediente químico principal: Al2O3 (95 % / 99 % / 99,7 %)
• Densidad aparente (g/cm3): 3,6 / 3,89 / 3,96
• Temperatura máxima de uso: 1450°C / 1600°C / 1650°C
• Absorción de agua (%): 0 / 0 / 0
• Dureza ROHS: ≥85 / ≥89 / ≥89
• Resistencia a la flexión (20°C) MPa (psi x 10^3): 358 (52) / 550 / 550
• Resistencia a la compresión (20°C) MPa (psi x 10^3): 2068 (300) / 2600 (377) / 2600 (377)
• Tenacidad a la fractura K(Ic) MPa·m1/2: 4–5 / 5,6 / 6
• Coeficiente de expansión térmica (25-1000°C) 1×10^-6/°C: 7,6 / 7,9 / 8,2
• Conductividad térmica (20°C) W/m·K: 16 / 30 / 30,4
• Resistencia al choque térmico (°C): 250 / 200 / 200
• Constante dieléctrica (1MHz, 25°C): 9 / 9,7 / 9,7
• Resistencia dieléctrica ac-kV/mm (ac V/mil): 8,3 (210) / 8,7 (220) / 8,7 (220)
• Resistividad volumétrica (100°C) ohm·cm: >10^13 / >10^14 / >10^14