Resina para semiconductores GKR

de alta resistenciafotosensiblede alta estabilidad térmica

Resumen
Fotoresists de tono positivo para KrF que cubren una amplia gama de aplicaciones de formación de patrones semiconductores. La serie GKR ofrece múltiples grados, desde películas de gran espesor hasta formulaciones de alta resolución para adaptarse a distintos requisitos de proceso.

Gama de productos
Familias de la serie GKR:

• Serie GKR-46xx/32xx (para implant)
• Serie GKR-53xx (para C/H)
• Serie GKR-63xx (para L/S)

Productos relacionados

• EUV (13,5 nm) — Materiales EUV para imagen en tono negativo
• NIL (Nanoimprint Lithography) — Materiales NIL para procesos de litografía de semiconductores
• ArF (193 nm) — Materiales para imagen en positivo en seco y por inmersión, e imagen en tono negativo (NTI)
• i-Line, g-Line y Broadband — Fotoresists sensibles a UV medio que abarcan resoluciones desde <0,30 µm hasta >1,0 µm
• Negativo (a base de poliisopreno) — Series de sistemas de resist en tono negativo a base de poliisopreno
• e-Beam — Fotoresists positivos y negativos para diversas aplicaciones de e‑beam

Características / Especificaciones técnicas

• Longitud de onda: 248 nm (KrF)
• Tono: Positivo
• Familia principal de productos: serie GKR
• Variantes disponibles: GKR-46xx/32xx (implant), GKR-53xx (C/H), GKR-63xx (L/S)
• La gama incluye películas de gran espesor y formulaciones de alta resolución para cubrir diferentes requisitos de proceso