Transistor MOSFET ISP12DP06NM

de potenciade conmutaciónde avalancha

Los MOSFET OptiMOS™ de canal P de 60 V en encapsulado SOT-223 son ideales para aplicaciones de conmutación de carga, gestión de baterías y protección contra inversión de polaridad. La principal ventaja de los MOSFET OptiMOS™ de canal P es la simplificación de la complejidad del diseño en aplicaciones de media y baja potencia. Su fácil interfaz con la unidad de microcontrolador (MCU), su rápida conmutación y su resistencia a las avalanchas hacen que los MOSFET OptiMOS™ de canal P de Infineon sean adecuados para aplicaciones exigentes de alta calidad. Los productos mejoran la eficiencia con cargas bajas gracias a su bajo Qg.y están disponibles en nivel normal y lógico con un amplio rango RDS(on). Resumen de características: Amplio rango RDS(on) Disponibilidad de nivel lógico Ventajas: Fácil interfaz con la MCU Eficiencia mejorada con cargas bajas gracias al bajo Qg Conmutación rápida Resistencia a la avalancha Aplicaciones objetivo: Batería Consumo Automatización industrial Accionamientos industriales