Transistor MOSFET ISC151N20NM6

de potenciade conmutaciónde audio

El ISC151N20NM6 OptiMOS™ 6 200 V establece un nuevo estándar tecnológico. Responde a la necesidad de una alta densidad de potencia, una alta eficiencia y una gran fiabilidad. La tecnología OptiMOS™ 6 de 200 V se ha diseñado para ofrecer un rendimiento óptimo en aplicaciones de accionamiento de motores, como vehículos de baja velocidad (LEV), carretillas elevadoras y drones. Gracias a su RDS(on) líder en el sector, a un comportamiento de conmutación mejorado y a un mejor reparto de corriente, el nuevo OptiMOS™ 6 permite una mayor densidad de potencia, menos conexiones en paralelo y un mejor comportamiento frente a las interferencias electromagnéticas (EMI). El comportamiento de conmutación mejorado lo convierte también en una opción ideal para cualquier tipo de aplicación de conmutación, como telecomunicaciones, servidores, energía solar o audio. Además, la combinación de un amplio SOA y un RDS(on) líder en el sector lo hace perfecto para aplicaciones de conmutación estática, como los sistemas de gestión de baterías (BMS). Características RDS(on) un 42 % más bajo Excelente comportamiento frente a las interferencias electromagnéticas (EMI) y de conmutación gracias a: QRR (típico) un 45 % menor QOSS (típico) un 42 % menor Diodo más suave (más de tres veces) Linealidad de capacitancia mejorada VGS(th) ajustado y baja transconductancia para facilitar la conexión en paralelo SOA mejorada para aumentar la robustez Ventajas Bajas pérdidas por conducción Bajas pérdidas de conmutación Funcionamiento estable con mejores prestaciones frente a las interferencias electromagnéticas (EMI) Menor necesidad de conexión en paralelo Mejor reparto de corriente en conexión en paralelo Cumple con la normativa RoHS, sin plomo Clasificado como MSL 1 según la norma J-STD-020